자동차 솔루션

Cypress 자동차 솔루션은 제조 및 테스트에서 엄격한 결함 제로화 정책이 적용된 고품질 제품으로 구성된 AEC-Q100 인증 포트폴리오입니다. MCU, NOR, RAM 및 PMIC 부품은 클러스터, 차체 전자 장치, HMI 및 고성능 스토리지 솔루션을 위한 품질과 지원을 보장합니다.

메모리 IC의 유형

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결과: 513
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 장착 스타일 패키지/케이스 메모리 크기 인터페이스 타입
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Narrow-16 256 Mbit SPI
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 256 Mb FLASHMEM 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,200
배수: 1,200

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Narrow-16 256 Mbit SPI
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 12 주
최소: 705
배수: 705

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Narrow-16 256 Mbit SPI
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 12 주
최소: 705
배수: 705

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Narrow-16 256 Mbit SPI
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 3,380
배수: 3,380

NOR Flash SMD/SMT BGA-24 256 Mbit SPI
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT BGA-24 256 Mbit SPI
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 3,380
배수: 3,380

NOR Flash SMD/SMT BGA-24 512 Mbit SPI
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash SMD/SMT BGA-24 512 Mbit SPI
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,690
배수: 1,690

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 10 주
최소: 3,380
배수: 3,380

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 10 주
최소: 676
배수: 676

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,400
배수: 2,400

NOR Flash SMD/SMT 512 Mbit SPI
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

NOR Flash 512 Mbit

Infineon Technologies NOR 플래시 STD SPI 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,400
배수: 2,400

NOR Flash SMD/SMT SOIC-16 512 Mbit SPI
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512M FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

NOR Flash 512 Mbit

Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

NOR Flash SMD/SMT SOIC-16 512 Mbit SPI
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 12 주
최소: 480
배수: 480

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies NOR 플래시 Nor 비재고 리드 타임 10 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

NOR Flash 512 Mbit
Infineon Technologies NOR 플래시 IC 512 Mb FLASH MEMORY 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1,450
배수: 1,450
: 1,450

NOR Flash 512 Mbit