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SRAM 8Mb 45ns 512K x 16 Low Power SRAM
- CY62157ELL-45ZSXI
- Infineon Technologies
-
1:
₩16,472.4
-
251재고 상태
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Mouser 부품 번호
727-CY62157ELL45ZSXI
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Infineon Technologies
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SRAM 8Mb 45ns 512K x 16 Low Power SRAM
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251재고 상태
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₩16,472.4
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₩15,332.8
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₩14,874
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₩14,518.8
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보기
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₩14,104.4
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₩13,704.8
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₩13,201.6
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₩12,402.4
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견적
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최소: 1
배수: 1
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8 Mbit
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512 k x 16
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45 ns
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Parallel
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5.5 V
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4.5 V
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25 mA
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- 40 C
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+ 85 C
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SMD/SMT
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TSOP-44
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Tray
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SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM
- CY62157ELL-55ZSXE
- Infineon Technologies
-
1:
₩17,922.8
-
422재고 상태
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Mouser 부품 번호
727-CY62157ELL55ZSXE
|
Infineon Technologies
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SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM
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422재고 상태
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₩17,922.8
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₩16,664.8
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₩16,146.8
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₩15,762
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보기
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₩15,214.4
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₩15,125.6
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₩13,675.2
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₩13,601.2
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견적
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최소: 1
배수: 1
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8 Mbit
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512 k x 16
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55 ns
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Parallel
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5.5 V
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4.5 V
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35 mA
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- 40 C
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+ 125 C
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SMD/SMT
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TSOP-44
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AEC-Q100
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Tray
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SRAM 8Mb 45ns 512K x 16 Low Power SRAM
- CY62157ELL-45ZSXIT
- Infineon Technologies
-
1,000:
₩12,076.8
-
비재고 리드 타임 20 주
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Mouser 부품 번호
727-CY2157ELL45ZSXIT
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Infineon Technologies
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SRAM 8Mb 45ns 512K x 16 Low Power SRAM
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비재고 리드 타임 20 주
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₩12,076.8
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견적
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견적
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최소: 1,000
배수: 1,000
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8 Mbit
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512 k x 16
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45 ns
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Parallel
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5.5 V
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4.5 V
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25 mA
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- 40 C
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+ 85 C
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SMD/SMT
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TSOP-44
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Reel
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SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM
- CY62157ELL-55BVXET
- Infineon Technologies
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2,000:
₩14,178.4
-
비재고 리드 타임 26 주
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Mouser 부품 번호
727-CY2157ELL55BVXET
|
Infineon Technologies
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SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM
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비재고 리드 타임 26 주
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최소: 2,000
배수: 2,000
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8 Mbit
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512 k x 16
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55 ns
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Parallel
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5.5 V
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4.5 V
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35 mA
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- 40 C
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+ 125 C
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SMD/SMT
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VFBGA-48
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AEC-Q100
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Reel
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SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM
- CY62157ELL-55ZSXET
- Infineon Technologies
-
1,000:
₩12,831.6
-
비재고 리드 타임 20 주
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Mouser 부품 번호
727-CY2157ELL55ZSXET
|
Infineon Technologies
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SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM
|
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비재고 리드 타임 20 주
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|
₩12,831.6
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견적
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견적
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최소: 1,000
배수: 1,000
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8 Mbit
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512 k x 16
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55 ns
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Parallel
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5.5 V
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4.5 V
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35 mA
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- 40 C
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+ 125 C
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SMD/SMT
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TSOP-44
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AEC-Q100
|
Reel
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SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM
- CY62157ELL-55BVXE
- Infineon Technologies
-
2,400:
₩14,074.8
-
비재고 리드 타임 26 주
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Mouser 부품 번호
727-CY62157ELL55BVXE
|
Infineon Technologies
|
SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM
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비재고 리드 타임 26 주
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최소: 2,400
배수: 2,400
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8 Mbit
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512 k x 16
|
55 ns
|
Parallel
|
5.5 V
|
4.5 V
|
35 mA
|
- 40 C
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+ 125 C
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SMD/SMT
|
VFBGA-48
|
AEC-Q100
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Tray
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