ISSI 메모리 IC

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ISSI NOR 플래시 128Mb, 56 Ball BGA(9X7mm), 3V, RoHS, Lowest Sector Protected 240재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

NOR Flash SMD/SMT BGA-56 128 Mbit
ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns 867재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 6

SRAM SMD/SMT 64 Mbit Parallel
ISSI IS25WP512M-RHLA3
ISSI NOR 플래시 512Mb QPI/QSPI, 24-ball TFBGA 6x8mm 5x5 ball array, RoHS, reset pin, Auto Grade 457재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 29
NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 512 Mbit QPI, SPI
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 20ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 64재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 26

SRAM SMD/SMT BGA-48 16 Mbit Parallel
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 310재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT 32 Mbit Parallel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM 111재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 2

DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS 480재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT 32 Mbit Parallel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS 200재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 15

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI SRAM 4M 3.3V 250Mhz 128Kx36 Sync SRAM 46재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v 14재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT TQFP-100 18 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4M (128Kx32) 200MHz Sync SRAM 3.3v 68재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 5

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 9Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,166Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS, Automotive temp 58재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT TQFP-100 9 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS 62재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit
ISSI DRAM 1G 32Mx32 400MHz LPDDR2 1.2/1.8V 2재고 상태
171예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
최대: 32

DRAM SMD/SMT FBGA-134 1 Gbit
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 54 Pin TSOP II, RoHS 72재고 상태
108예상 2026-03-04
최소: 1
배수: 1
최대: 45

SRAM SMD/SMT TSOP-II-54 16 Mbit Parallel

ISSI SRAM 1Mb 3.6v 10ns 64Kx16 LPAsync SRAM 54재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT TSOP-44 1 Mbit Parallel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM 178재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 7

DRAM SMD/SMT BGA-60 512 Mbit
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 166Mhz 2Mx32 SDR SDRAM 2재고 상태
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, 166Mhz 16Mx16 SDR SDRAM 73재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS 107재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54
ISSI DRAM 4Gb, 256Mx16, 1.35V, Automotive, A3 Range: ( 40 C = TC = 125 C), 1866MT/s, 96-ball BGA, Lead-free, DDR3L 92재고 상태
190주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 42

DRAM SMD/SMT BGA-96 4 Gbit
ISSI SRAM 8M (512Kx18) 200MHz Sync SRAM 3.3v 29재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

SRAM SMD/SMT TQFP-100 9 Mbit Parallel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM 19재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
ISSI SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns 1,733재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 28

SRAM SMD/SMT 8 Mbit Parallel
ISSI DRAM 128M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT 390재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 12

DRAM SMD/SMT BGA-54