32 bit 8 Gbit DRAM

결과: 13
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Micron MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR
Micron DRAM LPDDR3 8G 256MX32 FBGA 589재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SDRAM Mobile - LPDDR3 8 Gbit 32 bit 933 MHz FBGA-178 256 M x 32 - 30 C + 85 C MT52L256M32D1PF Reel, Cut Tape, MouseReel
Micron DRAM GDDR6 8G 256MX32 FBGA 363재고 상태
최소: 1
배수: 1

SGRAM - GDDR6 8 Gbit 32 bit 1.75 GHz FBGA-180 256 M x 32 1.3095 V 1.3905 V 0 C + 95 C MT61K Tray
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 8G, 256M x 32, 0.6V, 200ball TFBGA, 1600MHZ, ECC, AUTO TEMP 585재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C 238재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 32 600 mV 1.8 V - 40 C + 95 C LPDDR4x Tray
Micron DRAM LPDDR4 8Gbit 32 200/264 TFBGA 196재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100
: 2,000

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 32 bit 256 M x 32 Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
1,088예상 2027-07-21
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI IS46LQ32256A-062BLA2
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
408주문 중
최소: 1
배수: 1

SDRAM Mobile - LPDDR4 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C 비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 2.133 GHz FBGA-200 256 M x 32 600 mV 1.8 V - 20 C + 85 C LPDDR4x Tray
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C IME8G32L4 Tray
ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 52 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SDRAM - LPDDR4X 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz FBGA-200 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Reel