자동차 솔루션

Cypress 자동차 솔루션은 제조 및 테스트에서 엄격한 결함 제로화 정책이 적용된 고품질 제품으로 구성된 AEC-Q100 인증 포트폴리오입니다. MCU, NOR, RAM 및 PMIC 부품은 클러스터, 차체 전자 장치, HMI 및 고성능 스토리지 솔루션을 위한 품질과 지원을 보장합니다.

결과: 23
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
조직
액세스 시간
인터페이스 타입
공급 전압 - 최대
공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
자격
포장
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM
데이터시트
592재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 55ns 64K x 16 LP SRAM
데이터시트
460재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies SRAM 1Mb 45ns 128K x 8 Low Power SRAM
데이터시트
475재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-32 AEC-Q100 Tube
Infineon Technologies SRAM 1Mb 55ns 128K x 8 Low Power SRAM
데이터시트
933재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT STSOP-32 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM
데이터시트
422재고 상태
최소: 1
배수: 1

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies SRAM 1Mb 55ns 128K x 8 Low Power SRAM
데이터시트
242재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT SOIC-32 AEC-Q100 Tube
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 55ns 64K x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,350
배수: 1,350

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,350
배수: 1,350

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 960
배수: 960

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 55ns 64K x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 55ns 64K x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

1 Mbit 64 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 55ns 128K x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

2 Mbit 128 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 55ns 128K x 8 Low Power SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

1 Mbit 128 k x 8 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT STSOP-32 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 45ns 128K x 8 Low Power SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-32 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM ASYNC
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 675
배수: 675

4 Mbit 256 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Infineon Technologies SRAM ASYNC
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 55 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 55ns 512K x 16 Low Power SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,400
배수: 2,400

8 Mbit 512 k x 16 55 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 35 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT VFBGA-48 AEC-Q100 Tray
Infineon Technologies CY7C1361KVE33-100AXE
Infineon Technologies SRAM SYNC
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 720
배수: 720

Tray