SRAM

결과: 13
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 779재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 251재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 160 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 225재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 200 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 140재고 상태
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Tray
Renesas Electronics SRAM 3V 64K X 16 SRAM 149재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 150 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Tray
Renesas Electronics SRAM 3V 64K X 16 SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 150 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-48 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 250
배수: 250

4 Mbit 256 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-48 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 200 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 250
배수: 250

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Tray
Renesas Electronics SRAM 32K X 16 SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000
없음
1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 150 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
없음
4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-48 Tray