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메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
- A4F32QG8BVVFMW
- ATP Electronics
-
50:
₩331,564.4
-
비재고 리드 타임 29 주
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Mouser 부품 번호
162-A4F32QG8BVVFMW
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ATP Electronics
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메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
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비재고 리드 타임 29 주
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최소: 50
배수: 50
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메모리 모듈 32GB Unb ECC SODIMM
- A4F32QG8BVWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩311,525.2
-
비재고 리드 타임 29 주
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Mouser 부품 번호
162-A4F32QG8BVWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 32GB Unb ECC SODIMM
|
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비재고 리드 타임 29 주
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최소: 50
배수: 50
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메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
- A4F32QG8BVWEMW
- ATP Electronics
-
50:
₩321,411.6
-
비재고 리드 타임 29 주
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Mouser 부품 번호
162-A4F32QG8BVWEMW
|
ATP Electronics
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메모리 모듈 WT 32GB Unb ECC SODIMM
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비재고 리드 타임 29 주
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최소: 50
배수: 50
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메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G04QC6BNPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩64,409.6
-
비재고 리드 타임 29 주
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Mouser 부품 번호
162-A4G04QC6BNPBME
|
ATP Electronics
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메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
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비재고 리드 타임 29 주
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최소: 50
배수: 50
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메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G04QC6BNPBSE
- ATP Electronics
-
50:
₩62,766.8
-
비재고 리드 타임 29 주
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Mouser 부품 번호
162-A4G04QC6BNPBSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
|
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비재고 리드 타임 29 주
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최소: 50
배수: 50
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메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G04QC6BNRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩64,409.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G04QC6BNRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
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비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
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메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G04QC6BNRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩62,766.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G04QC6BNRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
|
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비재고 리드 타임 29 주
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최소: 50
배수: 50
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메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G04QC6BNTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩64,409.6
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G04QC6BNTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
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비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
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메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G04QC6BNTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩62,766.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G04QC6BNTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
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메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G04QC6BNWEME
- ATP Electronics
-
1:
₩77,640.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G04QC6BNWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
|
₩77,640.8
|
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₩71,780
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₩65,504.8
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최소: 1
배수: 1
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메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNPBME
- ATP Electronics
-
50:
₩100,477.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNPBME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNRCME
- ATP Electronics
-
50:
₩100,477.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNRCME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNRCSE
- ATP Electronics
-
50:
₩97,176.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNRCSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
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메모리 모듈 WT 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNRCSW
- ATP Electronics
-
50:
₩105,420.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNRCSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNTDME
- ATP Electronics
-
50:
₩102,934
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNTDME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
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메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNTDSE
- ATP Electronics
-
50:
₩97,176.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNTDSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM- Samsung Org.
- A4G08QA8BNTDSO
- ATP Electronics
-
500:
₩73,689.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNTDSO
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM- Samsung Org.
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
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최소: 500
배수: 50
|
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메모리 모듈 WT 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNTDSW
- ATP Electronics
-
50:
₩105,420.4
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNTDSW
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 WT 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩100,477.2
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNWEME
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QA8BNWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩97,176.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QA8BNWESE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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|
메모리 모듈
- A4G08QC6BVWEME
- ATP Electronics
-
50:
₩104,310.4
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QC6BVWEME
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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메모리 모듈
- A4G08QC6BVWEMFV
- ATP Electronics
-
50:
₩97,132.4
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QC6BVWEMFV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
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|
메모리 모듈
- A4G08QC6BVWESBV
- ATP Electronics
-
50:
₩90,590.8
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QC6BVWESBV
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
|
|
메모리 모듈
- A4G08QC6BVWESE
- ATP Electronics
-
50:
₩101,572.4
-
비재고 리드 타임 29 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QC6BVWESE
신제품
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
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|
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
- A4G08QK6BNPBSE
- ATP Electronics
-
50:
₩87,704.8
-
비재고 리드 타임 29 주
|
Mouser 부품 번호
162-A4G08QK6BNPBSE
|
ATP Electronics
|
메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
|
|
비재고 리드 타임 29 주
|
|
최소: 50
배수: 50
|
|
|
대한민국
