4 bit DRAM

결과: 20
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Micron DRAM DDR4 8G 2GX4 FBGA 1,117재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100
: 2,000

SDRAM - DDR4 8 Gbit 4 bit 1.6 GHz FBGA-78 2 G x 4 13.75 ns 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C MT40A Reel, Cut Tape
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, USON8 2,903재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 16 Mbit 4 bit 84 MHz/144 MHz USON-8 2 M x 8 1.62 V 1.98 V - 25 C + 85 C IoT RAM Reel, Cut Tape, MouseReel
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256M 64M X 4, 3.3V 54PIN TSOP II 166 MHZ INDUSTRIAL TEMP - Tray 57재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 4 bit 166 MHz TSOP-II-54 64 M x 4 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C64M4SA Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 1,693재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SDRAM - LPDDR2 2 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 16 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT 168재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR2 4 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C
Alliance Memory DRAM 256Mb, 3.3V, 143Mhz 64M x 4 SDRAM 99재고 상태
최소: 1
배수: 1

SDRAM 256 Mbit 4 bit 143 MHz TSOP-II-54 64 M x 4 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C AS4C64M4SA Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
855예상 2027-01-29
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR2 4 Gb 4 bit 533 MHz BGA-168 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
4,000예상 2027-02-01
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SDRAM - LPDDR2 4 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
342주문 중
최소: 1
배수: 1

SDRAM - LPDDR2 2 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 16 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz a.CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT
237예상 2026-10-23
최소: 1
배수: 1

SDRAM - DDR2 1 Gb 4 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 512Mx4, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-60 비재고 리드 타임 26 주
최소: 264
배수: 264

SDRAM - DDR2 2 Gbit 4 bit 400 MHz FBGA-60 512 M x 4 400 ps 1.7 V 1.9 V 0 C + 95 C IM2G04D2 Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 16 Mbit 4 bit 84 MHz/144 MHz WLCSP-8 2 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp., SOP8 비재고 리드 타임 20 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 16 Mbit 4 bit 84 MHz/144 MHz SOP-8 2 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C IoT RAM Reel
AP Memory APS12804O-SQRH-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP 비재고 리드 타임 15 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

PSRAM (Pseudo SRAM) 128 Mbit 4 bit 144 MHz WLCSP-15 8 M x 8 1.62 V 1.98 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 40 주
최소: 171
배수: 171

SDRAM - LPDDR2 2 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C) 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 168 ball PoP (12mmx12mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 1,500
배수: 1,500
: 1,500

SDRAM - LPDDR2 4 Gb 4 bit 533 MHz BGA-168 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz a.CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - DDR2 1 Gb 4 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx16, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R 비재고 리드 타임 40 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SDRAM - LPDDR2 2 Gb 4 bit 533 MHz BGA-134 128 M x 32 10 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C Reel
Alliance Memory DRAM SDRAM, 256M 64M X 4, 3.3V 54PIN TSOP II 166 MHZ INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SDRAM 256 Mbit 4 bit 166 MHz TSOP-II-54 64 M x 4 5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C AS4C64M4SA Reel
Alliance Memory DRAM 256Mb, 3.3V, 143Mhz 64M x 4 SDRAM 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SDRAM 256 Mbit 4 bit 143 MHz TSOP-II-54 64 M x 4 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C AS4C64M4SA Reel