Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Intelligent Memory Dynamic Random Access Memory (DRAM) includes a full range of JEDEC-compliant DRAMs and ECC DRAMs (SDRAM, DDR, DDR2, DDR3, DDR4, LPDDR4). From an application's point of view, these components work like a monolithic device. The DRAM devices allow for maximum levels of memory density without altering existing board layouts or designs.

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 제조업체
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수량 RoHS 제품 유형
장착 스타일
패키지/케이스
메모리 크기
조직
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 512Mx4, 400MHz (800Mbps), 0C to +95C, FBGA-60
데이터시트
리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-60 2 Gbit 512 M x 4 0 C + 95 C Tray
Intelligent Memory DRAM DDR2 2Gb, 1.8V, 256Mx8, 400MHz (800Mbps), -40C to +95C, FBGA-60
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-60 2 Gbit 256 M x 8 - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory DRAM ECC DDR3, 1Gb, 1.5V, 128Mx8, 667MHz (1333Mbps), -40C to +95C, FBGA-78
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 242
배수: 242

DRAM SMD/SMT FBGA-78 1 Gbit 128 M x 8 - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit 128 M x 32 - 40 C + 95 C Tray
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit 256 M x 32 - 40 C + 95 C Tray