ATP Electronics 메모리 IC

메모리 IC의 유형

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ATP Electronics eMMC ATP TLC eMMC V5.1 153b C-Temp - 21GB (pSLC) 비재고 리드 타임 29 주
최소: 760
배수: 760
eMMC SMD/SMT FBGA-153 21 GB - 25 C + 85 C
ATP Electronics eMMC ATP TLC eMMC V5.1 153b I-Temp - 21GB (pSLC) 비재고 리드 타임 29 주
최소: 760
배수: 760
eMMC SMD/SMT FBGA-153 21 GB - 40 C + 85 C
ATP Electronics eMMC AEC-Q100 Grade 3 -40C to +85C 11.5x13 3D MLC eMMC 비재고 리드 타임 29 주
최소: 760
배수: 760
eMMC SMD/SMT FBGA-153 32 GB eMMC 5.1 HS400 - 40 C + 85 C AEC-Q100
ATP Electronics eMMC Extended I-Temp. -40C to +105C 11.5x13 3D MLC eMMC 비재고 리드 타임 29 주
최소: 760
배수: 760
eMMC SMD/SMT FBGA-153 32 GB eMMC 5.1 HS400 - 40 C + 105 C
ATP Electronics eMMC ATP TLC eMMC V5.1 153b C-Temp 32GB 비재고 리드 타임 29 주
최소: 760
배수: 760
eMMC SMD/SMT FBGA-153 32 GB - 25 C + 85 C
ATP Electronics eMMC AEC-Q100 Grade 3 -40C to +85C 11.5x13 3D MLC eMMC 비재고 리드 타임 29 주
최소: 760
배수: 760
eMMC SMD/SMT FBGA-153 64 GB eMMC 5.1 HS400 - 40 C + 85 C AEC-Q100
ATP Electronics eMMC Extended I-Temp. -40C to +105C 11.5x13 3D MLC eMMC 비재고 리드 타임 29 주
최소: 760
배수: 760
eMMC SMD/SMT FBGA-153 64 GB eMMC 5.1 HS400 - 40 C + 105 C
ATP Electronics eMMC AEC-Q100 Grade 2 -40C to +105C 11.5x13 3D MLC eMMC 비재고 리드 타임 29 주
최소: 760
배수: 760
eMMC SMD/SMT FBGA-153 64 GB eMMC 5.1 HS400 - 40 C + 105 C AEC-Q100
ATP Electronics eMMC AEC-Q100 Grade 3 -40C to +85C 11.5x13 3D MLC eMMC 비재고 리드 타임 29 주
최소: 760
배수: 760
eMMC SMD/SMT FBGA-153 64 GB eMMC 5.1 HS400 - 40 C + 85 C AEC-Q100
ATP Electronics eMMC Extended I-Temp. -40C to +105C 11.5x13 3D MLC eMMC 비재고 리드 타임 29 주
최소: 760
배수: 760
eMMC SMD/SMT FBGA-153 64 GB eMMC 5.1 HS400 - 40 C + 105 C
ATP Electronics eMMC I-Temp. -40C to +85C 11.5x13 3D MLC eMMC 비재고 리드 타임 29 주
최소: 760
배수: 760
eMMC SMD/SMT FBGA-153 64 GB - 40 C + 85 C
ATP Electronics eMMC ATP TLC eMMC V5.1 153b C-Temp - 64GB 비재고 리드 타임 29 주
최소: 760
배수: 760
eMMC SMD/SMT FBGA-153 64 GB - 25 C + 85 C
ATP Electronics eMMC Industrial Temp. -40C to +85C 11.5x13 TLC eMMC 비재고 리드 타임 40 주
최소: 760
배수: 760
eMMC SMD/SMT FBGA-153 64 GB - 40 C + 85 C
ATP Electronics eMMC AEC-Q100 Grade 2 -40C to +105C 11.5x13 3D MLC eMMC 비재고 리드 타임 29 주
최소: 760
배수: 760
eMMC SMD/SMT FBGA-153 128 GB eMMC 5.1 HS400 - 40 C + 105 C AEC-Q100
ATP Electronics eMMC AEC-Q100 Grade 3 -40C to +85C 11.5x13 3D MLC eMMC 비재고 리드 타임 29 주
최소: 760
배수: 760
eMMC SMD/SMT FBGA-153 128 GB eMMC 5.1 HS400 - 40 C + 85 C AEC-Q100
ATP Electronics eMMC Extended I-Temp. -40C to +105C 11.5x13 3D MLC eMMC 비재고 리드 타임 29 주
최소: 760
배수: 760
eMMC SMD/SMT FBGA-153 128 GB eMMC 5.1 HS400 - 40 C + 105 C
ATP Electronics eMMC I-Temp. -40C to +85C 11.5x13 3D MLC eMMC 비재고 리드 타임 29 주
최소: 760
배수: 760
eMMC SMD/SMT FBGA-153 128 GB - 40 C + 85 C
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
Memory Modules 4 GB
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
Memory Modules 4 GB
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
Memory Modules 4 GB
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
Memory Modules 4 GB
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Registered ECC Module VLP 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
Memory Modules 4 GB
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
Memory Modules
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
Memory Modules
ATP Electronics 메모리 모듈 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
Memory Modules