PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 IC

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결과: 82
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수량 RoHS 제품 유형
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메모리 크기
조직
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최고 작동온도
포장
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8
데이터시트
698주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 66

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C
Alliance Memory DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
데이터시트
72,367구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 490
배수: 490

DRAM SMD/SMT FBGA-49 64 Mbit 4 M x 16 - 30 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
릴: 5,000

DRAM SMD/SMT WLCSP-24 128 Mbit 16 M x 8/8 M x 16 - 40 C + 85 C Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, 1.8V, USON8
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 10,000
배수: 10,000
릴: 10,000

DRAM SMD/SMT USON-8 16 Mbit 2 M x 8 - 25 C + 85 C Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
릴: 5,000

DRAM SMD/SMT WLCSP-8 16 Mbit 2 M x 8 - 40 C + 85 C Reel

AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

DRAM SMD/SMT SOP-8 16 Mbit 2 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
릴: 5,000

DRAM SMD/SMT WLCSP-8 16 Mbit 2 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,800
배수: 4,800

DRAM SMD/SMT BGA-24 256 Mbit 32 M x 8 - 40 C + 85 C Tray
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
릴: 5,000

DRAM SMD/SMT WLCSP-24 256 Mbit 32 M x 8/16 M x 16 - 40 C + 85 C Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
릴: 5,000

DRAM SMD/SMT WLCSP-8 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
AP Memory DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
릴: 5,000

DRAM SMD/SMT WLCSP-13 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
AP Memory APS12804O-SQRH-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
데이터시트
비재고 리드 타임 15 주
최소: 5,000
배수: 5,000
릴: 5,000

DRAM SMD/SMT WLCSP-15 128 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
릴: 5,000

DRAM SMD/SMT WLCSP-24 256 Mbit 32 M x 8/16 M x 16 - 40 C + 85 C Reel
AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 4,800
배수: 4,800

DRAM SMD/SMT BGA-24 256 Mbit 32 M x 8/16 M x 16 - 40 C + 105 C Tray
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-54 Reel
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

SRAM SMD/SMT BGA-54 Reel

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

DRAM SMD/SMT TFBGA-24 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C Reel

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

DRAM SMD/SMT TFBGA-24 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

DRAM SMD/SMT SOIC-8 64 Mbit 8 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

DRAM SMD/SMT SOIC-8 32 Mbit 4 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 28 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

DRAM SMD/SMT SOIC-8 32 Mbit 4 M x 8 - 40 C + 85 C Reel
Alliance Memory DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
데이터시트
재고 없음
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

DRAM SMD/SMT FBGA-49 64 Mbit 4 M x 16 - 30 C + 85 C Reel