N-채널 SiC 전력 MOSFET
ROHM Semiconductor의 N-채널 SiC(탄화 규소) 전력 MOSFET은 스위칭 중 잔여 전류가 없어서 작동 시간은 빨라지고 스위칭 손실은 감소했습니다. 또한 낮은 온 상태 저항이 전력 손실을 최소화하고 에너지를 절약합니다.
대한민국|
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ROHM Semiconductor의 N-채널 SiC(탄화 규소) 전력 MOSFET은 스위칭 중 잔여 전류가 없어서 작동 시간은 빨라지고 스위칭 손실은 감소했습니다. 또한 낮은 온 상태 저항이 전력 손실을 최소화하고 에너지를 절약합니다.