BGB 741L7ESD E6327

Infineon Technologies
726-BGB741L7ESDE63
BGB 741L7ESD E6327

제조업체:

설명:
RF 증폭기 RF BIP TRANSISTORS

ECAD 모델:
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재고 상태: 14,534

재고:
14,534
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15,000
예상 2026-04-16
공장 리드 타임:
12
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
포장:
전체 릴(7500의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩1,480 ₩1,480
₩1,266.9 ₩12,669
₩1,184 ₩29,600
₩1,095.2 ₩109,520
₩1,036 ₩259,000
₩984.2 ₩492,100
₩944.2 ₩944,200
₩941.3 ₩3,765,200
전체 릴(7500의 배수로 주문)
₩821.4 ₩6,160,500
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다.

제품 속성 속성 값 속성 선택
Infineon
제품 카테고리: RF 증폭기
RoHS:  
50 MHz to 3.5 GHz
1.8 V to 4 V
10 mA
20 dB
1.05 dB
Low Noise Amplifiers
SMD/SMT
TSLP-7-1
SiGe
- 6.5 dBm
1 dBm
- 55 C
+ 150 C
BGB741L7
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: Infineon Technologies
채널 수: 1 Channel
Pd - 전력 발산: 120 mW
제품 유형: RF Amplifier
팩토리 팩 수량: 7500
하위 범주: Wireless & RF Integrated Circuits
시험 주파수: 150 MHz
부품번호 별칭: SP000442946 BGB741L7ESDE6327XT BGB741L7ESDE6327XTSA1
단위 중량: 2 mg
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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KRHTS:
8532331000
CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8542330001
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CoolMOS™ N-Channel MOSFETs

Infineon CoolMOS™ N-Channel Power MOSFETs set the standard for high performance and energy efficiency. The Infineon OptiMOS low voltage MOSFET family demonstrates a combination of the industry's lowest on-state resistance and best switching performance in the voltage range from 20V up to 250V. The new OptiMOS 25V and 30V product family sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs. These devices are application-specific optimized for power supplies of servers, notebooks, telecom / datacom switches, and more. The revolutionary Infineon CoolMOS power family sets new standards in energy efficiency and is a technology leader in high voltage MOSFETs. The CoolMOS offers a significant reduction of conduction and switching losses and enables high power density and efficiency for superior power conversion systems. CoolMOS C6 / E6 Power MOSFETs combine the advantage of state-of-the-art superjunction devices with the strengths of conventional power semiconductors. Infineon Technologies CoolMOS™ Power Transistors use the revolutionary CoolMOS™ technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS™ C6 and E6 power transistor series combine the experience of the leading SJ MOSFET supplier with high class innovation. The resulting devices provide all the benefits of a fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.