GSI Technology 메모리 IC

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설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS 제품 유형
장착 스타일
패키지/케이스
메모리 크기
조직
인터페이스 타입
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
GSI Technology SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1
SRAM SMD/SMT BGA-165 144 Mbit 8 M x 18 Parallel - 40 C + 100 C
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 10
배수: 10

SRAM SMD/SMT BGA-260 144 Mbit 8 M x 18 Parallel - 40 C + 100 C Tray
GSI Technology SRAM 1.5/1.8V 16M x 18 288M
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 10
배수: 10

SRAM SMD/SMT BGA-165 288 Mbit 16 M x 18 Parallel - 40 C + 85 C Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
데이터시트
비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 144 Mbit 4 M x 36 Parallel 0 C + 85 C Tray
GSI Technology SRAM
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 10
배수: 10
SRAM SMD/SMT BGA-165 144 Mbit 8 M x 18 Parallel - 40 C + 85 C Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 18 Mbit 1 M x 18 Parallel - 40 C + 100 C Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 18 Mbit 1 M x 18 Parallel - 40 C + 85 C Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 18 Mbit 512 k x 36 Parallel - 40 C + 85 C Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 36
배수: 36
SRAM SMD/SMT BGA-165 18 Mbit 512 k x 36 Parallel - 55 C + 125 C Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
비재고 리드 타임 2 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 18 Mbit 1 M x 18 Parallel - 40 C + 85 C Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 18 Mbit 512 k x 36 Parallel - 40 C + 85 C Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 8M x 36 288M
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-119 288 Mbit 8 M x 36 Parallel - 40 C + 100 C Tray
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 16M x 18 288M
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 10
배수: 10

SRAM SMD/SMT BGA-119 288 Mbit 16 M x 18 Parallel 0 C + 85 C Tray
GSI Technology SRAM 1.5/1.8V 8M x 36 288M
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 10
배수: 10

SRAM SMD/SMT BGA-165 288 Mbit 8 M x 36 Parallel 0 C + 70 C Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 36 Mbit 1 M x 36 Parallel 0 C + 70 C Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
데이터시트
비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 36 Mbit 1 M x 36 Parallel - 40 C + 85 C Tray
GSI Technology SRAM 1.8 or 1.5V 2M x 18 36M
데이터시트
비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 36 Mbit 2 M x 18 Parallel 0 C + 70 C Tray
GSI Technology SRAM 비재고 리드 타임 6 주
최소: 18
배수: 18

SRAM SMD/SMT TQFP-100 72 Mbit 2 M x 36 Parallel - 40 C + 125 C
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 4 주
최소: 18
배수: 18

SRAM SMD/SMT TQFP-100 72 Mbit 2 M x 36 Parallel - 40 C + 85 C Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 36M
데이터시트
비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1
SRAM SMD/SMT BGA-119 72 Mbit 4 M x 18 Parallel - 40 C + 85 C Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 72 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 5 주
최소: 14
배수: 14

SRAM SMD/SMT BGA-209 72 Mbit 1 M x 72 Parallel - 40 C + 85 C Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
SRAM SMD/SMT BGA-119 72 Mbit 2 M x 36 Parallel - 55 C + 125 C Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 1M x 72 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 5 주
최소: 1
배수: 1
SRAM SMD/SMT BGA-209 72 Mbit 1 M x 72 Parallel - 40 C + 85 C Tray
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 2M x 36 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 72 Mbit 2 M x 36 Parallel - 40 C + 85 C Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
데이터시트
비재고 리드 타임 3 주
최소: 1
배수: 1

SRAM SMD/SMT BGA-165 72 Mbit 2 M x 36 Parallel - 40 C + 85 C Tray