STDRIVEG210Q

Name: STMicroelectronics STDRIVEG210Q
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG210Q
Price: 3936 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STDRIVEG210Q

제조업체 번호:

STDRIVEG210Q

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

게이트 드라이버 High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V

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라이프사이클:

신제품:

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데이터시트:

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	₩3,936.8	₩3,937
	₩2,945.2	₩29,452
	₩2,693.6	₩67,340
	₩2,412.4	₩241,240
	₩2,279.2	₩569,800
	₩2,190.4	₩1,073,296
	₩2,116.4	₩2,074,072
	₩2,012.8	₩5,917,632

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
제품:	Gate Drivers
타입:	Half-Bridge
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	QFN-18
드라이버 수:	2 Driver
출력 수:	2 Output
출력 전류:	1.05 A, 2.4 A
공급 전압 - 최소:	9.2 V
공급 전압 - 최대:	18 V
상승 시간:	22 ns
하강 시간:	11 ns
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
포장:	Tray
브랜드:	STMicroelectronics
입력 전압 - 최대:	20 V
입력 전압 - 최소:	3 V
최대 턴-오프 지연 시간:	60 ns
최대 턴-온 지연 시간:	60 ns
습도에 민감:	Yes
작동 공급 전류:	920 uA
출력 전압:	220 V
제품 유형:	Gate Drivers
전파 지연 - 최대:	60 ns
Rds On - 드레인 소스 저항:	7 Ohms
차단:	Shutdown
팩토리 팩 수량:	490
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
기술:	GaN

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데이터시트

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG600 하프 브리지 게이트 드라이버

STMicroelectronics STDRIVEG600 하프 브리지 게이트 드라이버는 GaN(질화 갈륨 ) eHEMT(강화 모드 고전 자 이동도 트랜지스터) 또는 N 채널 전력 MOSFET용 단일 칩 하프 브리지 게이트 드라이버 입니다. STDRIVEG600의 하이 측은 최대 600V의 전압에 견디도록 설계되었으며 버스 전압이 최대 500V인 설계 장치에 적합합니다. 이 장치는 높은 전류 성능, 짧은 전파 지연 및 5V 미만의 공급 전압으로 작동하므로 고속 GaN 및 실리콘 FET를 구동하는 데 이상적입니다.

STDRIVEG210 하프 브리지 게이트 드라이버

STMicroelectronics STDRIVEG210 하프 브리지 게이트 드라이버는 N채널 증가 모드 질화갈륨을 위한 설계 대상으로, 하이 사이드 드라이버 섹션은 최대 220V의 전압 레일을 견딜 수 있습니다. 이 드라이버는 고전류 용량, 우수한 지연 일치성을 갖춘 짧은 전파 지연 시간, 그리고 통합된 LDO를 특징으로 합니다. 따라서 고속 질화갈륨을 구동하는 데 최적화되어 있습니다. STDRIVEG210 하프 브리지 게이트 드라이버는 빠른 시동 및 저소비전력 소프트 스위칭 애플리케이션에 맞게 조정된 공급 UVLO를 특징으로 합니다. 하이사이드 레귤레이터는 간헐적 작동 (버스트 모드) 시 애플리케이션 효율성을 극대화하기 위해 웨이크업 시간이 매우 짧은 것이 특징입니다. 이 드라이버는 입력 핀의 범위를 확장하여 컨트롤러와 쉽게 인터페이스할 수 있습니다. 대기 핀을 사용하면 비활성 기간이나 버스트 모드에서 전력 소비를 줄일 수 있습니다. 애플리케이션에는 DC/DC, AC/DC, 공진 컨버터, 동기식 정류, UPS, 어댑터, LED 조명 및 USB-C가 포함됩니다.