EVALSTDRV600HB8

STMicroelectronics
511-EVALSTDRV600HB8
EVALSTDRV600HB8

제조업체:

설명:
전원 관리 IC 개발 도구 Demonstration board kit for L638xE and L639x high-voltage gate drivers
설계 완성하기

데이터시트:
추가 정보
STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8에 대해 자세히 알아보십시오.

구매 가능 정보

재고:
재고 없음
공장 리드 타임:
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩43,245.2 ₩43,245

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: 전원 관리 IC 개발 도구
RoHS:  
Demonstration Boards
Gate Driver
17 V, 20 V
L638xE, L639x
EVALSTDRV600HB8
브랜드: STMicroelectronics
포장: Bulk
제품 유형: Power Management IC Development Tools
팩토리 팩 수량: 1
하위 범주: Development Tools
단위 중량: 100 g
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0

데이터시트

Product Catalogs

CNHTS:
8543909000
USHTS:
9030333800
TARIC:
8473302000
MXHTS:
8473300499
ECCN:
EAR99

EVALSTDRV600HB8 개발 보드

STMicroelectronics EVALSTDRV600HB8 개발 보드는 L638xE 및 L639x 고전압 게이트 드라이버용으로 설계되었습니다. 이 L638xE 및 L639x 드라이버는 N채널 전력 MOSFET 또는 IGBT용 단일 칩 하프 브리지 게이트 드라이버입니다. 이 L638xE 및 L639x 드라이버는 BCD™ "오프라인" 기술을 사용하여 제조된 고전압 장치입니다. EVALSTDRV600HB8 보드는 SO8 패키지에 2개의 샘플(L638xE 및 L639x)로 구성되어 있어 최대 600V의 정격 전압으로 게이트 드라이버 특징 및 기능을 평가할 수 있습니다. 이 SO8 패키지는 또한 여러 고전압, 하이 사이드 및 로우 사이드 드라이버 장치를 지원합니다. 또한 개발 보드는 보다 소형의 비용 효율적인 설계가 가능하도록 고안된 필터링, 부트스트랩 커패시터 및 통합 부트스트랩 다이오드와 같은 패시브 구성 요소와 함께 제공됩니다.
자세히 알아보기

예기치 못한 오류가 발생했습니다.


질문이 있으십니까? 도움말 센터 를 방문하십시오.
특정 주문에 대해 문의하시려면 계정 에 로그인하십시오.

기타 다른 문제가 발생할 경우 800-346-6873로 연락하거나 help@mouser.com 으로 이메일을 보내 주십시오.