개별 자동 온도 조절 장치 솔루션

Toshiba 이산 자동 온도 조절 장치 솔루션은 더 작은 설치 공간에서 향상된 신뢰성과 성능을 제공합니다. 스마트 홈 장치의 수 증가와 함께 에너지 효율적인 솔루션에 대한 수요가 가속화됨에 따라 스마트 자동 온도 조절 장치의 상당한 성장을 촉진할 수 있습니다. 효율적인 에너지 절감, 스마트 제어 및 단위 에너지 비용 절감은 업계를 발전시키는 기본 매개변수 중 일부에 해당합니다. 이 장치의 기능과 성능을 높이려면 작동 수명을 개선하는 것 외에도 ’소비전력을 줄이고 공간 요구 사항을 줄이는 것이 필수적입니다. Toshiba는 이러한 중요한 요구 사항 등을 충족하는 제품을 제공합니다. 자동 온도 조절 장치 및 기타 유사한 설계에서 상당한 성공을 거둔 최신 LDO 기술 및 사진 계전기를 사용합니다.

결과: 9
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장
Toshiba MOSFET Small-signal FET 0.5A 20V 46pF 1.52 143,783재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 8,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 500 mA 630 mOhms - 5 V, 5 V 350 mV 1.23 nC + 150 C 150 mW Enhancement AEC-Q101 U-MOSIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS 98,881재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23F-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3.5 A 164 mOhms - 20 V, 10 V 800 mV 15.1 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement AEC-Q101 U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Low ON Resistane MOSFET 12,033재고 상태
18,000예상 2026-03-30
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 30 V 15 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.1 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 25,046재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 8,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 P-Channel 1 Channel 20 V 250 mA 1.1 Ohms - 10 V, 10 V 1 V - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Nch MOSFET 19,906재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

Si SMD/SMT CST3-3 P-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 4 Ohms - 8 V, 8 V 1 V 1.6 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch MOS 18A 500V 50W 2600pF 0.27 61재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 18 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 45 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVII Tube
Toshiba MOSFET PWR MGT 1.5V Drive P-Ch MOS -20V
26,403예상 2026-04-10
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6 P-Channel 1 Channel 20 V 10 A 15.3 mOhms - 8 V, 8 V 300 mV 29.9 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
140,000예상 2026-05-04
최소: 1
배수: 1
: 10,000

Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 840 mOhms - 8 V, 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET Small Low ON Resistane MOSFET
5,994예상 2026-03-27
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6 N-Channel 1 Channel 40 V 12 A 8.9 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel