Vishay IRFZ 시리즈 MOSFET

결과: 25
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 N-CH 60V 10A
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3,899재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
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1,390재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 N-CH 60V 17A
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5,465재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 17A
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6,667재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 17 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 25 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
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3,037재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
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949재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 N-CH 60V 10A
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677재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 N-CH 50V 15A
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1,486재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 50 V 15 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
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3,193재고 상태
2,000예상 2026-02-26
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 20 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
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1,848재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
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1,447재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET N-Channel 60V Power MOSFET
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825재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 10A
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222재고 상태
4,000예상 2026-02-16
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 60V 10 Amp 200mohm @ 10V
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4재고 상태
1,000예상 2026-02-26
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 10 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 11 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 50V 15A
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1,177재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 50 V 15 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
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1,660재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET MOSFET N-Channel 60V
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694재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
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1,186재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 N-CH 60V 50A
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654재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
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493재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 60V 50 Amp
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1,000예상 2026-03-10
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 60 V 50 A 28 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 67 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Vishay / BC Components MOSFET N-CHANNEL 60V
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재고 없음
최소: 1
배수: 1

Si
Vishay / Siliconix MOSFET 60V 17A 60W
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재고 없음
최소: 800
배수: 800
릴: 800

Si Reel
Vishay / Siliconix MOSFET MOSFET N-Channel 60V
데이터시트
재고 없음
최소: 800
배수: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Vishay / Siliconix MOSFET TO263 N-CH 60V 50A
데이터시트
재고 없음
최소: 800
배수: 800
릴: 800

Si Reel