SiC JFET

결과: 14
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 구성 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Vgs - 게이트 소스 항복 전압 드레인 소스 전류(Vgs=0) Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 자격 포장
onsemi JFET 750V/6MOCOMBO-FETG4TO2 185재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5.3 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET UF3N120007K4S 1,210재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 30 V to 30 V 20 uA 120 A 7.1 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UF3N Tube
onsemi JFET UG4SC075005L8S 1,727재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 6 uA 120 A 5 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UG4S Reel, Cut Tape
onsemi JFET 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2 573재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 4 uA 106 A 8.4 mOhms 375 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET UJ4N075004L8S 2,021재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.3 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UJ4N Reel, Cut Tape
onsemi JFET UJ4N075005K4S 371재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.8 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UJ4N Tube
onsemi JFET 1200V/9MOSICFETDGG3TO 615재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 1.2 kV - 25 V to 25 V 6 uA 120 A 7.6 mOhms 789 W - 55 C + 175 C UG3S Tube
onsemi JFET 1200V/35MOSICJFETG3TO 583재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 63 A 35 mOhms 429 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFET 750V/11MOCOMBO-FETG4TO 558재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 3.5 uA 104 A 10 mOhms 357 W - 55 C + 175 C UG4S Tube
onsemi JFET 1700V/400MOSICJFETG3TO263-7 610재고 상태
800예상 2026-07-20
최소: 1
배수: 1
: 800

SiC SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel Single 1.7 kV 3 V, 20 V 2.2 uA 6.8 A 400 mOhms 68 W - 55 C + 175 C UF3N Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi JFET 650V/25MOSICJFETG3TO2 551재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 85 A 25 mOhms 441 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFET 650V/80MOSICJFETG3TO2 458재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 32 A 80 mOhms 190 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFET 1200V/65MOSICJFETG3TO 516재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V to 3 V 5 uA 34 A 90 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFET 1200V/70MOSICJFETG3TO 484재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 33.5 A 70 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube