Infineon IGBT3 - E3 시리즈 IGBT 모듈

결과: 20
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 게이트-이미터 누설 전류 Pd - 전력 발산 패키지/케이스 최저 작동온도 최고 작동온도 포장
Infineon Technologies IGBT 모듈 IGBT 6500V 750A 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Single 6.5 kV 3 V 750 A 400 nA 3 MW Module - 50 C + 125 C Tray
Infineon Technologies FZ400R12KE3B1
Infineon Technologies IGBT 모듈 N-CH 1.2KV 650A 44재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Single 1.2 kV 1.7 V 650 A 400 nA 2.25 kW 62 mm - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies FZ600R65KE3
Infineon Technologies IGBT 모듈 IGBT Module 600A 6500V 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Tray
Infineon Technologies FF400R12KE3_B2
Infineon Technologies IGBT 모듈 N-CH 1.2KV 580A 4재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 580 A 400 nA 2 kW 62 mm - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies FZ500R65KE3
Infineon Technologies IGBT 모듈 IGBT Module 500A 6500V 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Single 6.5 kV 3 V 500 A 400 nA 2 MW - 50 C + 125 C Tray
Infineon Technologies FF1200R17KE3
Infineon Technologies IGBT 모듈 1700V 1200A DUAL 1재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Dual 1.7 kV 2 V 1.6 kA 400 nA 5.95 kW IHM130-10 - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE 401재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 580 A 400 nA 2 kW 62 mm - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200V 75A PIM 51재고 상태
70예상 2026-08-06
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.7 V 105 A 400 nA 355 W EconoPIM3 - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 IGBT Module 250A 6500V 2재고 상태
8예상 2026-09-14
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Single 6.5 kV 3 V 250 A 400 nA 1 MW - 50 C + 125 C Tray
Infineon Technologies DF200R12KE3
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200V 200A DUAL 52재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Single 1.2 kV 1.7 V 200 A 400 nA 1.04 kW IS5a ( 62 mm )-5 - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies FS75R12KE3G
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200V 75A 3-PHASE 17재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.7 V 105 A 400 nA 355 W EconoPACK 3B - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies FS75R17KE3
Infineon Technologies IGBT 모듈 N-CH 1.7KV 130A 19재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.7 kV 2 V 130 A 400 nA 465 W Econo 3 - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies FD400R12KE3_B5
Infineon Technologies IGBT 모듈 IGBT Module 8재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Single 1.2 kV 1.7 V 580 A 400 nA 2 kW - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies FP40R12KE3G
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200V 40A PIM 5재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.8 V 55 A 100 nA 210 W EconoPIM 3-35 - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies FZ300R12KE3G
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200V 300A SINGLE
20예상 2026-04-28
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules Single 1.2 kV 1.7 V 480 A 400 nA 1.45 kW EUPEC - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies DF300R12KE3
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200V 300A DUAL 비재고 리드 타임 12 주
최소: 10
배수: 10

Single 1.2 kV 1.7 V 300 A 400 nA 1.47 kW IS5a ( 62 mm )-5 - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies FZ400R65KE3
Infineon Technologies IGBT 모듈 IGBT Module 400A 6500V 비재고 리드 타임 32 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Tray
Infineon Technologies FF450R06ME3
Infineon Technologies IGBT 모듈 N-CH 600V 550A 비재고 리드 타임 14 주
최소: 10
배수: 10

IGBT Silicon Modules Dual 600 V 550 A Econo D - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FF600R17KE3_B2
Infineon Technologies IGBT 모듈 N-CH 1.7KV 950A 비재고 리드 타임 22 주
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules Dual Dual Collector Dual Emitter 1.7 kV 950 A IHM130 - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies FF800R17KE3
Infineon Technologies IGBT 모듈 N-CH 1.7KV 1.15KA 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
IGBT Silicon Modules Dual Dual Collector Dual Emitter 1.7 kV 1.15 kA IHM130 - 40 C + 125 C Tray