TO-3P 디스크리트 반도체

이산 반도체의 유형
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기술
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패키지/케이스
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT
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712재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
Toshiba MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN
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2,986재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics 트라이액 25A High Volt Triac 1200V 150mA IGT
데이터시트
555재고 상태
최소: 1
배수: 1

Triacs Through Hole TO-3P
STMicroelectronics 트라이액 40 A 1200 Volt
데이터시트
540재고 상태
최소: 1
배수: 1

Triacs Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
데이터시트
464재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBT 1250V 20A trench gte field-stop IGBT
데이터시트
613재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBT 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
데이터시트
287재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFET TO3P 250V 120A N-CH X3CLASS
데이터시트
10재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
Littelfuse 쇼트키 다이오드 및 정류기 120 Amps 150V
데이터시트
1,770예상 2026-09-29
최소: 1
배수: 1

Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBT 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
데이터시트
199재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBT Trench gate H series 650V 80A HiSpd
데이터시트
300예상 2026-05-25
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBT 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
Littelfuse 쇼트키 다이오드 및 정류기 50 Amps 100V
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,800
배수: 30

Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFET TO3P 200V 130A N-CH TRENCH
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 300
배수: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
IXYS MOSFET TO3P 100V 60A N-CH TRENCH
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor 정류기 50ns, 16A, 50V, High Efficient Recovery Rectifier
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 900
배수: 900

Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor 정류기 50ns, 16A, 100V, High Efficient Recovery Rectifier
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 900
배수: 900

Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor 정류기 50ns, 16A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 900
배수: 900

Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor 정류기 50ns, 30A, 50V, High Efficient Recovery Rectifier
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 900
배수: 900

Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor 정류기 50ns, 30A, 100V, High Efficient Recovery Rectifier
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 900
배수: 900

Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor 정류기 50ns, 30A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 900
배수: 900

Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor 쇼트키 다이오드 및 정류기 20A, 35V, Schottky Rectifier
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 900
배수: 900

Schottky Diodes & Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor 쇼트키 다이오드 및 정류기 20A, 50V, Schottky Rectifier
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 900
배수: 900

Schottky Diodes & Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor 쇼트키 다이오드 및 정류기 20A, 90V, Schottky Rectifier
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 900
배수: 900

Schottky Diodes & Rectifiers Through Hole TO-3P
Taiwan Semiconductor 쇼트키 다이오드 및 정류기 30A, 35V, Schottky Rectifier
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 900
배수: 900

Schottky Diodes & Rectifiers Si Through Hole TO-3P