GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

결과: 10
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산
Qorvo GaN FET DC-12GHz 10W 32V GaN 466재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 100

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 32 V 610 mA - 40 C + 85 C 13.8 W
Qorvo GaN FET DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN 재고 없음
최소: 25
배수: 25

SMD/SMT NI-780 N-Channel 36 V 24 A + 275 C 288 W
Qorvo GaN FET DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN 재고 없음
최소: 25
배수: 25

SMD/SMT NI-780 N-Channel 36 V 24 A + 250 C 288 W
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
재고 없음
최소: 25
배수: 25

SMD/SMT NI-360 N-Channel 36 V 12 A 117 W
Qorvo GaN FET DC-3.5GHz 36Volt GaN 120 Watt Peak
재고 없음
최소: 25
배수: 25

SMD/SMT N-Channel 36 V 12 A 117 W
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB 비재고 리드 타임 20 주
최소: 100
배수: 100

Die N-Channel
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 25W TQGaN25 PAE 78.3% Gain 18dB
비재고 리드 타임 20 주
최소: 50
배수: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 50W TQGaN25 PAE 69.5% Gain 19dB
리드 타임 20 주
최소: 50
배수: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 90W TQGaN25 PAE 70.5% Gain 19dB
비재고 리드 타임 20 주
최소: 50
배수: 50

Die N-Channel
Qorvo GaN FET DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB 리드 타임 16 주
최소: 50
배수: 50

Die N-Channel