이산 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 솔루션

Toshiba 이산 SSD(솔리드 스테이트 드라이브) 솔루션은 TVS, SBD(쇼트키 배리어 다이오드), LDO, 로드 스위치 IC 및 새로운 강력한 eFuse IC로 최신 요구 사항을 충족하는 광범위한 제품 라인업을 갖추고 있습니다. 이 SSD는 기존 HDD(하드 디스크 드라이브)보다 데이터를 신속하게 분석할 수 있습니다. SSD 기술이 개선됨에 따라, 중요한 데이터를 고장으로부터 안전하게 보호하는 보호 기능과 함께 점점 엄격해지는 전력 요구를 충족하는 전원 회로가 필요합니다. Toshiba는 핫 플러그 동안 비정상적인 입력 전원 조건과 과전압 서지를 처리하도록 설계된 전원 입력, 보호 IC 및 다이오드를 제어하기 위한 광범위한 로드 스위치 및 MOSFET 라인업을 제공합니다.

이산 반도체의 유형

카테고리 보기 변경
결과: 13
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 기술 장착 스타일 패키지/케이스
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V 304,453재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 8,000

MOSFETs Si SMD/SMT VESM-3
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A 172,115재고 상태
42,000예상 2026-03-16
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-23F
Toshiba ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 ESD protection diode .3pF 5.0V 58,621재고 상태
80,000예상 2026-03-09
최소: 1
배수: 1
: 10,000

SOD-882-2
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V 33,251재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 8,000

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-723-3
Toshiba MOSFET SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS 111재고 상태
27,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN6B-6
Toshiba 쇼트키 다이오드 및 정류기 Sml-Signal Schottky 2A 30V 380pF 6,790재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT US2H-2
Toshiba 쇼트키 다이오드 및 정류기 Sml-Signal Schottky 2A 40V 300pF 5,639재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Schottky Diodes & Rectifiers Si SMD/SMT US2H-2
Toshiba ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 ESD protection diode .3pF 6.2V 36,588재고 상태
60,000예상 2026-03-06
최소: 1
배수: 1
: 10,000

SOD-882-2
Toshiba ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 ESD protection diode 50A +/-30kV 183재고 상태
20,000예상 2026-03-02
최소: 1
배수: 1
: 10,000

SOD-963-2
Toshiba ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 ESD protection diode 80A +/-30kV 12,884재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 10,000

SOD-963-2
Toshiba MOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 4A 30VDSS 200pF 22,843재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si
Toshiba MOSFET P-Ch SSM -5A -20V 12V VGSS 0.035Ohm 997재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT WCSP6C-6
Toshiba MOSFET Small Signal MOSFET 1,886재고 상태
3,000예상 2026-06-26
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT UDFN-6