STMicroelectronics PowerMESH 디스크리트 반도체

이산 반도체의 유형

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STMicroelectronics IGBT N-Ch Clamped 20 Amp 1,561재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics MOSFET 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel 1,176재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 40 Amp 146재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 500 Volt 53 Amp 199재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package 565재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3


STMicroelectronics IGBT N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT 4,058재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole IPAK-3
STMicroelectronics IGBT N-Ch 600 Volt 7 Amp 1,983재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-252-3
STMicroelectronics IGBT N-CHANNEL IGBT 2,808재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH 815재고 상태
1,000예상 2026-04-13
최소: 1
배수: 1
: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFET PowerMESH MOSFET 1,497재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel 3,412재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package 1,190재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V PowerMesh 518재고 상태
600예상 2026-04-13
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET 589재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH 540재고 상태
2,100주문 중
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V 4 A PowerMESH 354재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3PF-3
STMicroelectronics IGBT 모듈 N-Ch 600 Volt 150Amp 1재고 상태
100예상 2026-08-24
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Si Through Hole ISOTOP-4
STMicroelectronics IGBT N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT 1,004재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3 FP
STMicroelectronics IGBT N Ch 10A 600V 비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)