CG2H30070F

Name: MACOM CG2H30070F
Brand: MACOM
SKU: 941-CG2H30070F
Price: 753973 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

941-CG2H30070F

제조업체 번호:

CG2H30070F

제조업체:

MACOM

설명:

GaN FET 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT

데이터시트:

CG2H30070F 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	MACOM
제품 카테고리:	GaN FET
배송 제한사항:	이 제품을 미국에서 수출하기 위해서는 추가적인 서류가 요구될 수 있습니다.
RoHS:
장착 스타일:	Screw Mount
패키지/케이스:	440224
트랜지스터 극성:	N-Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	120 V
Id - 연속 드레인 전류:	12 A
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	- 3.8 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 150 C
브랜드:	MACOM
개발 키트:	CG2H30070F-TB1
이득:	12.4 dB
최대 작동 주파수:	4 GHz
최소 작동 주파수:	0 Hz
출력 전력:	70 W
포장:	Tray
제품 유형:	GaN FETs
팩토리 팩 수량:	30
하위 범주:	Transistors
기술:	GaN
트랜지스터 타입:	GaN HEMT
Vgs - 게이트 소스 항복 전압:	- 10 V, 2 V
단위 중량:	10.466 g

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문서 필터:

데이터시트

CG2H30070F 데이터시트 (PDF)

PCN

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
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ECCN:: 3A001.b.3.a.4

CG2H40xx 및 CG2H30xx GaN HEMT

Wolfspeed /Cree CG2H40xx 및 CG2H30xx GaN HEMT는 고전자 이동도 트랜지스터로서, 28V 레일에서 작동합니다. CG2H40xx 및 CG2H30xx 트랜지스터는 다양한 RF 및 마이크로파 애플리케이션에 범용 광대역 솔루션을 제공합니다. 높은 효율, 높은 이득, 넓은 대역폭 성능을 자랑하는 이 HEMT는 선형 및 압축 증폭기 회로에 사용하기에 이상적입니다. CG2H40xx 및 CG2H30xx 트랜지스터는 나사 조임식, 플랜지, 솔더 다운, 알약 모양 패키지 및 2-리드 플랜지 패키지를 포함하는 다양한 패키지로 제공됩니다. 일반적으로 광대역 증폭기, 셀룰러 인프라, 레이더 등에 사용됩니다.
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