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DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8
- IS66WVS8M8FBLL-104NLI
- ISSI
-
1:
₩6,808
-
198예상 2026-04-24
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
870-WVS8M8FBLL104NLI
신제품
|
ISSI
|
DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8
|
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198예상 2026-04-24
|
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|
₩6,808
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₩6,319.6
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₩6,127.2
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₩5,979.2
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최소: 1
배수: 1
최대: 66
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DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
- AS1C4M16PL-70BIN
- Alliance Memory
-
1:
₩10,226.8
-
72,367구매 가능한 공장 재고품
|
Mouser 부품 번호
913-AS1C4M16PL-70BIN
|
Alliance Memory
|
DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
|
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72,367구매 가능한 공장 재고품
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₩10,226.8
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₩9,501.6
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₩9,220.4
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₩8,998.4
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보기
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₩8,791.2
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₩8,510
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₩8,288
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₩8,228.8
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견적
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최소: 1
배수: 1
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DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP
- APS128XXN-OBRA-WA
- AP Memory
-
5,000:
₩4,972.8
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
878-APS128XXN-OBRAWA
|
AP Memory
|
DRAM IoT RAM 128Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP
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비재고 리드 타임 20 주
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최소: 5,000
배수: 5,000
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DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, 1.8V, USON8
- APS1604M-SQ-ZR
- AP Memory
-
10,000:
₩1,613.2
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
878-APS1604M-SQ-ZR
|
AP Memory
|
DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, 1.8V, USON8
|
|
비재고 리드 타임 20 주
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최소: 10,000
배수: 10,000
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DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
- APS1604M-SQQ-RB
- AP Memory
-
5,000:
₩1,419.3
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
878-APS1604M-SQQ-RB
|
AP Memory
|
DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
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|
비재고 리드 타임 20 주
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최소: 5,000
배수: 5,000
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DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
- APS1604M-SQQ-SN
- AP Memory
-
1:
₩2,012.8
-
리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
878-APS1604M-SQQ-SN
|
AP Memory
|
DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x4) SDR 144/84MHz, QCC51xx SoC, 1.8V, Ind. Temp., SOP8
|
|
리드 타임 20 주
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₩2,012.8
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₩1,864.8
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₩1,805.6
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₩1,776
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보기
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₩1,598.4
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₩1,731.6
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₩1,672.4
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₩1,642.8
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₩1,628
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₩1,598.4
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최소: 1
배수: 1
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|
DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
- APS1604M-SQR-RB
- AP Memory
-
5,000:
₩1,419.3
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
878-APS1604M-SQR-RB
|
AP Memory
|
DRAM IoT RAM 16Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, RBX, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 5,000
배수: 5,000
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|
|
|
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DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
- APS25608N-OCH-BD
- AP Memory
-
4,800:
₩5,194.8
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
878-APS25608N-OCH-BD
|
AP Memory
|
DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., BGA24 (OctaRAM for Renesas RZ/A SoC)
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 4,800
배수: 4,800
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|
|
DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP
- APS256XXN-OBR-WA
- AP Memory
-
5,000:
₩4,972.8
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
878-APS256XXN-OBR-WA
|
AP Memory
|
DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 5,000
배수: 5,000
|
|
|
|
|
DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
- APS6404L-SQH-RA
- AP Memory
-
5,000:
₩1,447.4
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
878-APS6404L-SQH-RA
|
AP Memory
|
DRAM IoT RAM 64Mb QSPI (x1,x4) SDR 144MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 5,000
배수: 5,000
|
|
|
|
|
DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP
- APS6408L-OBM-WH
- AP Memory
-
5,000:
₩1,447.4
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
878-APS6408L-OBM-WH
|
AP Memory
|
DRAM IoT RAM 64Mb OPI (x8) DDR 200MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 5,000
배수: 5,000
|
|
|
|
|
DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
AP Memory APS12804O-SQRH-WA
- APS12804O-SQRH-WA
- AP Memory
-
5,000:
₩2,279.2
-
비재고 리드 타임 15 주
|
Mouser 부품 번호
878-APS12804O-SQRHWA
|
AP Memory
|
DRAM IoT RAM 128Mb QSPI (x1,x4) SDR 144/84MHz, HS, 1.8V, Ind. Temp, WLCSP
|
|
비재고 리드 타임 15 주
|
|
최소: 5,000
배수: 5,000
|
|
|
|
|
DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP
AP Memory APS256XXN-OB9-WA
- APS256XXN-OB9-WA
- AP Memory
-
5,000:
₩3,241.2
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
878-APS256XXN-OB9-WA
|
AP Memory
|
DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 5,000
배수: 5,000
|
|
|
|
|
DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
- APS256XXN-OBX9-BG
- AP Memory
-
4,800:
₩5,046.8
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
878-APS256XXN-OBX9BG
|
AP Memory
|
DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 4,800
배수: 4,800
|
|
|
|
|
SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
- IS66WVC4M16EALL-7010BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩7,636.8
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
870-66WV4M16EA70BLIR
|
ISSI
|
SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
|
|
SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
- IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩7,636.8
-
비재고 리드 타임 14 주
|
Mouser 부품 번호
870-66WV4M16EC70BLIR
|
ISSI
|
SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
|
|
비재고 리드 타임 14 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
|
|
DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
- IS66WVO8M8FALL-200BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩5,520.4
-
비재고 리드 타임 18 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
870-O8M8FALL200BLITR
신제품
|
ISSI
|
DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 18 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
|
|
DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
- IS66WVO8M8FBLL-166BLI-TR
- ISSI
-
2,500:
₩5,520.4
-
비재고 리드 타임 18 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
870-O8M8FBLL166BLITR
신제품
|
ISSI
|
DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 18 주
|
|
최소: 2,500
배수: 2,500
|
|
|
|
|
DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
- IS66WVR8M8FALL-104NLI-TR
- ISSI
-
3,000:
₩4,972.8
-
비재고 리드 타임 28 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
870-R8M8FALL104NLITR
신제품
|
ISSI
|
DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 28 주
|
|
최소: 3,000
배수: 3,000
|
|
|
|
|
DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
- IS66WVR8M8FBLL-104NLI-TR
- ISSI
-
3,000:
₩4,972.8
-
비재고 리드 타임 28 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
870-R8M8FBLL104NLITR
신제품
|
ISSI
|
DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 28 주
|
|
최소: 3,000
배수: 3,000
|
|
|
|
|
DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
- IS66WVS8M8FALL-104NLI-TR
- ISSI
-
3,000:
₩4,972.8
-
비재고 리드 타임 28 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
870-S8M8FALL104NLITR
신제품
|
ISSI
|
DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 28 주
|
|
최소: 3,000
배수: 3,000
|
|
|
|
|
DRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
- IS66WVS8M8FBLL-104NLI-TR
- ISSI
-
3,000:
₩4,972.8
-
비재고 리드 타임 28 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
870-S8M8FBLL104NLITR
신제품
|
ISSI
|
DRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 28 주
|
|
최소: 3,000
배수: 3,000
|
|
|
|
|
DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
- IS66WVR4M8ALL-104NLI-TR
- ISSI
-
3,000:
₩4,277.2
-
비재고 리드 타임 28 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
870-VR4M8ALL104NLITR
신제품
|
ISSI
|
DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 28 주
|
|
최소: 3,000
배수: 3,000
|
|
|
|
|
DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
- IS66WVR4M8BLL-104NLI-TR
- ISSI
-
3,000:
₩4,277.2
-
비재고 리드 타임 28 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
870-VR4M8BLL104NLITR
신제품
|
ISSI
|
DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
|
|
비재고 리드 타임 28 주
|
|
최소: 3,000
배수: 3,000
|
|
|
|
|
DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
- AS1C4M16PL-70BINTR
- Alliance Memory
-
2,000:
₩6,290
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
913-AS1C4M16PL70BINT
|
Alliance Memory
|
DRAM 64M 4Mx16 1.8V LP Pseudo SRAM IT
|
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재고 없음
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최소: 2,000
배수: 2,000
|
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