Power Modules 반도체

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Microchip Technology APTGX600U120D4G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-D4 비재고 리드 타임 26 주
최소: 5
배수: 1

Microchip Technology APTGX75A120T1G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-SP1F 비재고 리드 타임 26 주
최소: 14
배수: 1

Microchip Technology APTGX800U120D4G
Microchip Technology IGBT 모듈 PM-IGBT-TFS-D4 비재고 리드 타임 26 주
최소: 4
배수: 1

onsemi SNXH225B95H4Q2F2PG
onsemi IGBT 모듈 HUAWEI 15707 HP Q2BOOST (EXISTING DBC, 3X 10A SIC) 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

GeneSiC Semiconductor MOSFET 모듈 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module 비재고 리드 타임 26 주
최소: 48
배수: 48

GeneSiC Semiconductor MOSFET 모듈 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 48
배수: 48

GeneSiC Semiconductor MOSFET 모듈 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module 비재고 리드 타임 26 주
최소: 48
배수: 48

GeneSiC Semiconductor MOSFET 모듈 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 48
배수: 48

GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4
GeneSiC Semiconductor MOSFET 모듈 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module 비재고 리드 타임 26 주
최소: 48
배수: 48

GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4-T
GeneSiC Semiconductor MOSFET 모듈 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 48
배수: 48

GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4
GeneSiC Semiconductor MOSFET 모듈 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module 비재고 리드 타임 26 주
최소: 48
배수: 48

GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4-T
GeneSiC Semiconductor MOSFET 모듈 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM 비재고 리드 타임 26 주
최소: 48
배수: 48