18 GHz 반도체

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MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
70재고 상태
최소: 10
배수: 10

Analog Devices 프리스케일러 InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz 365재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 500


MACOM PIN 다이오드 CW=3Watts Recovery time 15ns 400재고 상태
최소: 100
배수: 100
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
20재고 상태
최소: 10
배수: 10

Analog Devices 프리스케일러 InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz 527재고 상태
최소: 1
배수: 1

Analog Devices 프리스케일러 InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz 518재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 500

MACOM PIN 다이오드 50-18000MHz .04pF -55C +125C 2,875재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Analog Devices 프리스케일러 InGaP HBT Divide-by-8 SMT, DC - 18 GHz 447재고 상태
7예상 2026-07-27
최소: 1
배수: 1

Analog Devices 프리스케일러 InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

MACOM GaN FET GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
750예상 2026-09-15
최소: 1
배수: 1
: 250

Qorvo GaN FET DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB
100예상 2026-07-10
최소: 100
배수: 100

Qorvo GaN FET DC-18GHZ 6W TQGaN25 PAE 71.6% Gain 18dB 리드 타임 16 주
최소: 50
배수: 50

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt 비재고 리드 타임 26 주
최소: 10
배수: 10

Analog Devices 프리스케일러 InGaP HBT Divide-by-2 SMT, DC - 18 GHz 비재고 리드 타임 10 주
최소: 14
배수: 14
없음
Analog Devices 프리스케일러 InGaP HBT Divide-by-4 SMT, DC - 18 GHz 비재고 리드 타임 10 주
최소: 20
배수: 20
없음
Microchip Technology PIN 다이오드 Si Limiter Hermetic Microstrip 비재고 리드 타임 20 주
없음
MACOM MA4L011-134
MACOM PIN 다이오드 Diode,Pin,Chip,Oxide 리드 타임 16 주
최소: 100
배수: 100