2.133 GHz 반도체

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 제조업체
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수량 RoHS
Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
데이터시트
5재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
데이터시트
2,071재고 상태
1,904주문 중
최소: 1
배수: 1

Winbond DRAM 2Gb LPDDR4X, x16, 2133MHz, Industrial Temp
데이터시트
33재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM The factory is currently not accepting orders for this product.
데이터시트
5재고 상태
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 16Gb, 512M x 32, 0.6V, 200ball TFBGA, 2133MHZ, INDUSTRIAL TEMP
데이터시트
5재고 상태
120주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
데이터시트
3재고 상태
1,088주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
데이터시트
496주문 중
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 120
배수: 120

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx32 2133MHz FBGA200 -20C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 24Gb 768Mx32 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 120
배수: 120

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 8Gb 256Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
데이터시트

Intelligent Memory DRAM LPDDR4x 16Gb 1024Mx16 2133MHz FBGA200 -40C to 85C
데이터시트

Alliance Memory AS4C1G16MD4V-046BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 16Gb, 1G X 16, 0.6V, 200ball TFBGA, 2133mhz, INDUSTRIAL TEMP
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1

Alliance Memory AS4C512M32MD4V-053BIN
Alliance Memory DRAM LPDDR4X, 16Gb, 512M x 32, 0.6V, 200ball TFBGA, 1866MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
데이터시트
비재고 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1