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IRFB4620PBFXKMA1

Name: Infineon IRFB4620PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRFB4620PBFXKMA1
Price: 1360 KRW
Availability: OutOfStock

Mouser 번호:

726-IRFB4620PBFXKMA1

제조업체 번호:

IRFB4620PBFXKMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

MOSFET IR FET >60-400V

데이터시트:

IRFB4620PBFXKMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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	₩1,293.6	₩2,587,200
	₩1,249.8	₩6,249,000

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220AB-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	200 V
Id - 연속 드레인 전류:	25 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	72.5 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	5 V
Qg - 게이트 전하:	25 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	144 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Tube
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
하강 시간:	14.8 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	37
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	22.4 ns
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	25.4 ns
표준 턴-온 지연 시간:	13.4 ns
부품번호 별칭:	IRFB4620PBFXKMA1 SP005745529

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TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs

Infineon 200V to 250V HEXFET® Power MOSFETs offer a broad range of MOSFETs in various packages, current and R_DS(on) ratings. These 200V to 250V HEXFET Power MOSFETs utilize the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with fast switching speed and ruggedized device design provides an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.