EasyPACK™ TRENCHSTOP™ IGBT7 모듈

Infineon Technologies  EasyPACK™ TRENCHSTOP™ IGBT7 모듈은 마이크로-패턴 트렌치 기술에 기반하고  있습니다. 이는 손실을 줄이고 높은 수준의 제어 기능을 제공합니다. 이 칩은 산업용 드라이브 애플리케이션에 맞게 특별히 최적화 되어 있습니다. 이 모듈은 낮은 정적 손실, 높은 전력 밀도 및 소프트 스위칭 성능을 제공합니다. 전력  모듈에서 허용되는 최대 작동 온도를 최대 175°C까지 높이면 전력 밀도를 대폭 높일 수 있습니다.

결과: 6
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 제품
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
게이트-이미터 누설 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
Infineon Technologies IGBT 모듈 950 V 400 A EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode
데이터시트
23재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 1.23 V 200 A - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 25 A sixpack IGBT module
데이터시트
2재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.6 V 25 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 35 A sixpack IGBT module
데이터시트
26재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 50 A sixpack IGBT module
데이터시트
15재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 6-Pack 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies F3L400R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 950 V, 400 A 3-level IGBT module
데이터시트
1재고 상태
최소: 1
배수: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.4 V 220 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 950 V, 200 A 3-level IGBT module
데이터시트
9재고 상태
최소: 1
배수: 1
SiC IGBT Modules 3-Phase Inverter 950 V 1.27 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray