이산 반도체의 유형

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IXYS IGBT 900V 8A 2.5V XPT IGBT GenX3 31재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-252-3
IXYS IGBT N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode 58재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT XPT IGBT C3-Class 600V/190Amp 1재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD
IXYS IGBT ISOPLUS 4500V 38A IGBT
293예상 2026-04-24
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole
Littelfuse ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 600W 300V 5% Bi-Directional
12,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMB (DO-214AA)
Littelfuse ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 1.5kW 56V 5% Bi-Directional
17,992주문 중
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMC (DO-214AB)
Littelfuse ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 SMF4L - CA 14V
24,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SOD-123-2
Littelfuse ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 400W 16V 5% Uni-directional
19,962주문 중
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SOD-123-2

IXYS IGBT PLUS247 650V 140A SN DIO
300예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBT TO263 1200V 20A XPT
1,416예상 2026-10-28
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-263HV-3
IXYS IGBT 900V 24A 2.7V XPT IGBT GenX3 w/ Diode
281예상 2026-06-16
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT 650V/80A XPT Copacked TO-247
242예상 2026-04-10
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT XPT IGBT C3-Class 1200V/160A
330예상 2026-02-23
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBT TO263 2500V 8A XPT
300주문 중
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBT TO247 2500V 40A IGBT
309예상 2026-04-30
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3
Littelfuse ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 1.5kW 22V 5% Uni-Directional
5,544예상 2026-05-25
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMC (DO-214AB)
Littelfuse ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 1.5kW 6.8V 5% Bi-Directional
4,221예상 2026-05-21
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMC (DO-214AB)
Littelfuse ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 400W 40V 5% Uni-directional
5,987예상 2026-05-13
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SOD-123-2
IXYS IGBT 650V, 35A, XPT Gen5 C5 IGBT in TO-220
300예상 2026-04-27
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3L
IXYS IGBT TO263 1200V 30A XPT 비재고 리드 타임 32 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Littelfuse ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 600W 33V 5% Uni-Directional 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 500

SMB (DO-214AA)
Littelfuse ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 600W 6V 5% Uni-Directional 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 500

SMB (DO-214AA)
Littelfuse ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 600W 7V 5% Uni-Directional 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 500

SMB (DO-214AA)
Littelfuse ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 600W 70V 5% Bi-Directional 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
: 500

SMB (DO-214AA)
Littelfuse ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 1.5kW 10V 5% Uni-Directional 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMC (DO-214AB)