전력의 차이 경험

인피니언은 전력 반도체 시장을 주도하고 있는 선도 기업입니다. 20년 이상의 경험과 혁신적인 CoolMOSTM™ 초접합 MOSFET 기술의 혁신 기업으로서, Infineon은 전력 관리 분야를 계속해서 개척하고 있습니다. 고객은 업계에서 가장 광범위한 실리콘 기반 SJ MOSFET 포트폴리오에서 개별 설계/시스템 요구 사항을 기반으로 선택할 수 있습니다. 3가지 주요 전력 기술을 모두 갖춘 소수의 제조 업체 중 하나인 Infineon은 획기적인 WBG(와이드 밴드 갭) 솔루션으로 이러한 분류를 보완합니다. 이 제품은 실리콘 카바이드 기반 CoolSiC™ MOSFET, 정합 다이오드 및 질화 갈륨 기반 CoolGaN™ E-모드 HEMT로 구성됩니다. 탁월한 가격 성능부터 최고의 견고성에 이르는 동급 최고의 장치까지 다양한 솔루션을 제공합니다. 이를 통해 고객은 보다 효율적이고 환경 친화적이며 지속 가능한 애플리케이션을 구축할 수 있습니다.

반도체의 유형

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 538재고 상태
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Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 196재고 상태
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Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 15재고 상태
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Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 231재고 상태
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Infineon Technologies 게이트 드라이버 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA 299재고 상태
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Infineon Technologies 게이트 드라이버 1200V Isolated 2-CH, 2A,MillerClamp,DESA 343재고 상태
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Infineon Technologies 게이트 드라이버 1200V Isolated 1-CH, 3.5A,Separate Outpu 714재고 상태
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Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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Infineon Technologies 게이트 드라이버 30A 2-OUT Half Brdg Non-Inv
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Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES
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Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC CHIP/DISCRETE
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Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
977예상 2026-04-16
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Infineon Technologies 2ED300C17-S ROHS
Infineon Technologies 게이트 드라이버 HALFBRIDGE DRV 30A DC/DC 1700V
238예상 2026-03-12
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Infineon Technologies 게이트 드라이버 600V high & low-side 0.7A,integrated BSD
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Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC CHIP/DISCRETE
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Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DISCRETE 1재고 상태
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Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC CHIP/DISCRETE
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Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DISCRETE 6재고 상태
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Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
480예상 2026-06-16
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Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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