RN 자동차 바이어스 저항기 내장 트랜지스터

Toshiba RN 자동차 바이어스 저항 내장 트랜지스터(BRT)는 AEC-Q101 인증을 받았으며 스위칭, 인버터 회로, 인터페이스 및 드라이버 회로 애플리케이션에 최적화되어 있습니다. 바이어스 저항이 통합되어 필요한 외부 부품 수를 줄이고 시스템 크기와 조립 시간을 줄입니다. Toshiba RN 자동차 바이어스 저항기 BRT는 다양한 회로 설계에 맞게 조정할 수 있는 넓은 저항 범위를 제공합니다.

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Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-323 (USM)
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM)
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-416 (SSM)
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SSM-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-416 (SSM)
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SSM-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-346 (S-Mini)
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-4000 SOT-323 (USM)
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM)
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-700 SOT-416 (SSM)
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SSM-3
Toshiba ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOT-323
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SOT-323-3
Toshiba ESD 보호 다이오드/TVS 다이오드 AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323
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SOT-323-3
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
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6,000예상 2026-05-18
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6)
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6)
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
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6,000재고 상태
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6)
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba 양극성 트랜지스터 - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6)
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8,000재고 상태
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
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4,740재고 상태
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Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba 디지털 트랜지스터 AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
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2,145재고 상태
8,000예상 2026-04-24
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Digital Transistors SMD/SMT VESM-3