전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술

STMicroelectronics는 전력 MOSFET 및 IGBT 최신 기술을 제공합니다. ST는 SMPS, 조명, 모터 제어 및 다양한 산업용 애플리케이션을 대상으로 하는 특정 애플리케이션에 맞춤형으로 구성된 광범위한 MOSFET 및 IGBT 포트폴리오를 제공합니다. ST의 포트폴리오에는 하드 및 소프트 스위치드 토폴로지를 위한 고전압 초접합 MOSFET 및 트렌치 게이트 필드 스톱 IGBT와 전력 변환 및 BLDC 모터 드라이브용 저전압 트렌치 기반 MOSFET이 포함됩니다. ST의 최신 1,200V SiC MOSFET은 200°C의 업계 최고의 정션 온도와 면적당 매우 낮은 RDS(on) 그리고 우수한 스위칭 성능을 제공하여 더욱 효율적이고 컴팩트한 SMPS 설계를 지원합니다. 모터 제어의 경우, M 시리즈 IGBT는 강력한 단락 등급과 함께 최적으로 절충된 VCE(SAT)와 E(off)를 제공합니다. ST의 전력 설계를 위한 완전한 라인의 MOSFET과 IGBT를 살펴보십시오.

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STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 0.41Ohm typ. 12A MDmesh K5
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
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511재고 상태
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V .198Ohm 15A MDmesh M5
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2,585재고 상태
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-CH 650V 0.09Ohm 22.5A Mdmesh M5
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2,750재고 상태
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5

STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
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508재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS
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696재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
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1,728재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
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958재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
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3,803재고 상태
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
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2,130재고 상태
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5
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2,984재고 상태
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5
STMicroelectronics MOSFET N-CH 100V 0.020Ohm 10A STripFET VII
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2,086재고 상태
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최소: 1
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릴: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.175 Ohm typ. 18A MDmesh DM2
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855재고 상태
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배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
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1,797재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
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1,994재고 상태
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배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
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1,056재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
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2,896재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
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483재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
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761재고 상태
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배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MDmesh K5
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425재고 상태
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배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.168Ohm 18A MDmesh M2
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860재고 상태
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 0.108Ohm typ. 26A MDmesh M2
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400재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.024 Ohm 84 A MDmesh(TM)
데이터시트
316재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag
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1,168재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3