SiC(탄화 규소) 전력 소자

ROHM Semiconductor의 SiC 전력 소자는 규소만 사용한 전력 소자와 비교해서 절연 파괴 전계 강도 10배, 밴드 갭 3배, 열 전도성이 3배 높습니다. 덕분에 스위칭 손실과 온 상태 저항이 낮으며, 고온 작동을 지원합니다. 그 결과 전력 손실과 모듈 크기 모두 최소화했습니다. 설계 시 필요한 부품 수가 적어 설계 작업의 복잡도가 감소합니다.

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ROHM Semiconductor SiC MOSFET RECT 1.2KV 40A RDL SIC SKY
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 AECQ
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442예상 2026-04-06
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 AECQ
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325예상 2026-07-09
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
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450예상 2026-07-23
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor 디스크리트 반도체 모듈 Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
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비재고 리드 타임 27 주
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배수: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor 디스크리트 반도체 모듈 SIC Pwr Module Chopper
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리드 타임 27 주
최소: 1
배수: 1

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET 모듈 SIC Pwr Module Half Bridge
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비재고 리드 타임 27 주
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배수: 4

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 DIODE: 8A 600V
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MouseReel 사용가능
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릴: 1,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
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비재고 리드 타임 27 주
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배수: 450

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen
데이터시트
비재고 리드 타임 21 주

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2