ISSI 반도체

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ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 8ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS 373재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 31

ISSI NOR 플래시 64M 2.3-3.6V 133Mhz Serial NOR 플래시 2,572재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 538
: 2,000

ISSI SRAM 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync SRAM 3.3v 163재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 6

ISSI DRAM 128M, 1.8V, M-SDRAM 8Mx16, 133Mhz, RoHS 1,418재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

ISSI DRAM 32Mb 2Mx16 133MHz Mobile SDRAM 982재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI IS25WE256E-RMLE-TY
ISSI NOR 플래시 256Mb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS. dedicated reset pin, ECC, Tray 51재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI IS66WVO16M8DBLL-133BLI
ISSI SRAM 128Mb, OctalRAM, 16Mbx8, 3.0V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 932재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 4

ISSI IS25WJ064F-JKLE
ISSI NOR 플래시 64Mb, QPI/QSPI, 8-pin WSON 5X6MM, RoHS, T&R, new die rev 300재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 40
: 570

ISSI IS25LP016D-JTLE-TR
ISSI NOR 플래시 16Mb QSPI, 8-pin USON 4x3mm, RoHS, T&R 3,869재고 상태
5,000예상 2026-05-01
최소: 1
배수: 1
최대: 2,270
: 5,000

ISSI UFS(범용 플래시 스토리지) 1Gb QPI/QSPI, 8-pin WSON 6x8mm, RoHS,new die, Auto Grade 475재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 1


ISSI NOR 플래시 1Gb QPI/QSPI, 16-pin SOP 300Mil, RoHS, reset pin, tray, new die rev 154재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 6

ISSI DRAM 2G 256Mx8 1600MT/s DDR3 1.5V 46재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 10

ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS 105재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 2.5V, DDR1, 64Mx8, 166MHz, 66 pin TSOP-II RoHS 81재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 2

ISSI DRAM 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 18재고 상태
324예상 2026-04-09
최소: 1
배수: 1
최대: 89

ISSI DRAM 512M (64Mx8) 200MHz 2.5v DDR SDRAM 96재고 상태
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 512M (64Mx8) 166MHz 2.5v DDR SDRAM 33재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 10

ISSI DRAM 64Mb, 3.3V, 166MHz 4Mx16 SDR SDRAM 147재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 14


ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 10ns Async SRAM 3.3v 1재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI DRAM 128Mb, 3.3V, 143MHz 4Mx32 SDR SDRAM 2,227재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200


ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 375재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 141

ISSI SRAM 1Mb, Low Power/Power Saver,Async,128K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS 206재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V 84재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS 449재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 2

ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O, 165 Ball BGA, RoHS 122재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200