JDV2S41AFS,L3M
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757-JDV2S41AFSL3M
JDV2S41AFS,L3M
제조업체:
설명:
버랙터 다이오드 Variable capacitance diode for electronic tuning applications
버랙터 다이오드 Variable capacitance diode for electronic tuning applications
라이프사이클:
Mouser의 신규
데이터시트:
구매 가능 정보
-
재고:
-
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-
주문 중:
-
36예상 2026-09-14
-
공장 리드 타임:
-
14주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
가격 (KRW)
| 수량 | 단가 |
합계
|
|---|---|---|
| ₩2,660 | ₩2,660 | |
| ₩1,641.6 | ₩16,416 | |
| ₩1,086.8 | ₩108,680 | |
| ₩854.2 | ₩427,100 | |
| ₩729.6 | ₩729,600 | |
| ₩661.2 | ₩1,653,000 | |
| ₩586.7 | ₩2,933,500 | |
| ₩567 | ₩5,670,000 | |
| ₩553.3 | ₩13,832,500 |
데이터시트
Application Notes
- Basics of Diodes (Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics)
- Basics of Diodes (Power Losses and Thermal Design)
- Basics of Diodes (Types and Overview of Diodes)
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Precautions for using Radio-frequency semiconductor devices
Product Catalogs
규정 준수 코드
- CNHTS:
- 8541590000
- CAHTS:
- 8541100090
- USHTS:
- 8541100080
- TARIC:
- 8541100000
- ECCN:
- EAR99
원산지 분류
- COO(원산지):
- 태국
- 어셈블리 원산지:
- 불가능
- COD(확산 공정 국가):
- 불가능
