STO450N6F7

Name: STMicroelectronics STO450N6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STO450N6F7
Price: 9028 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-STO450N6F7

제조업체 번호:

STO450N6F7

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET N-channel 60 V, 0.85 mOhm max., 545 A STripFET F7 Power MOSFET

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라이프사이클:

신제품:

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데이터시트:

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최소: 1 배수: 1

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₩-

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₩-

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포장:

전체 릴(1800의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩9,028	₩9,028
	₩6,275.2	₩62,752
	₩4,543.6	₩454,360
	₩4,528.8	₩2,264,400
	₩4,070	₩4,070,000
전체 릴(1800의 배수로 주문)
	₩3,700	₩6,660,000
9,000	견적

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TO-LL-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	60 V
Id - 연속 드레인 전류:	545 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	850 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	300 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	454 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
하강 시간:	90 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	100 ns
팩토리 팩 수량:	1800
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	140 ns
표준 턴-온 지연 시간:	55 ns
단위 중량:	697 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STripFET™ F7 Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs feature an enhanced trench-gate structure with faster and more efficient switching for simplified designs and reduced equipment size and cost. Low on-state resistance combined with low switching losses lower on-state resistance while reducing internal capacitances and gate charge. They are ideal for synchronous rectification and have an optimal capacitance Crss/Ciss ratio for lowest EMI. STMicroelectronics STripFET F7 feature high avalanche ruggedness.