STMicroelectronics MOSFET

결과: 15
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장
STMicroelectronics MOSFET N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x 1,956재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT5x6-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 42 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 3 mOhm typ.,105 A STripFET F7 Power MOSFET in P 5,672재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 40 V 105 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 23.3 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i 5,207재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 40 V 108 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 15 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5 5,403재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.1 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 72 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 330 mOhm typ., 7 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV 2,800재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 415 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 13 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 1,787재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 600 V 5.5 A 660 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 8.8 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i 4,204재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 40 V 119 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 27.6 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET Automotive 60V N-Ch 12mOhm 120A F7 Power 9,036재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 98 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET 1,212재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 100 V 107 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 72.5 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.85 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
3,000예상 2026-03-23
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 650 V 4.5 A 1 Ohms - 25 V, 25 V 2 V 10.3 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV 비재고 리드 타임 52 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 308 mOhms - 20 V, 20 V 3.25 V 16.8 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 25 mOhm typ, 10 A STripFET H6 Power MOSFET in a 비재고 리드 타임 13 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 30 V 10 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 3.7 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 220 mOhm typ., 10 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H 비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 250 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 20 nC - 55 C + 150 C 57 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 390 mOhm typ., 6.4 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel 1 Channel 600 V 6.4 A 490 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 12.3 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.30 Ohm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV 비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 350 mOhms - 25 V, 25 V 4.75 V 16.7 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement MDmesh Reel