STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT

결과: 19
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
구성
최대 DC 콜렉터 전류
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-베이스 전압 VCBO
이미터-베이스 전압 VEBO
콜렉터-이미터 포화 전압
Pd - 전력 발산
게인 대역폭 제품 fT
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT PNP Audio Amplfier
데이터시트
16,425재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD140 Tube
STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT PNP Medium Power
데이터시트
8,942재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 4 A 45 V 45 V 5 V 200 mV 36 W 3 MHz + 150 C BD438 Tube
STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT NPN High Volt Power
데이터시트
3,391재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 500 mA 450 V 5 V 1 V 40 W 20 MHz + 150 C BUX87 Tube
STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Silicon Trnsistr
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2,790재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD135 Tube
STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Medium Power +30VCEO +5VBEO
데이터시트
3,612재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 3 A 30 V 60 V 5 V 1.1 V 12.5 W 100 MHz + 150 C 2SD882 Tube
STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Audio Amplifier
데이터시트
5,235재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 12.5 W + 150 C BD135 Tube
STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT PNP Audio Amplfier
데이터시트
5,667재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD136 Tube
STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT PNP Silicon Trnsistr
데이터시트
2,145재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 45 V 45 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD136 Tube
STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT PNP Audio Amplfier
데이터시트
3,123재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 60 V 60 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD138 Tube
STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Audio Amplifier
데이터시트
6,463재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Silicon Trnsistr
데이터시트
2,849재고 상태
6,000예상 2026-04-29
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Silicon Trnsistr
데이터시트
7,197재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD139 Tube
STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT PNP Silicon Trnsistr
데이터시트
5,772재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 1.5 A 80 V 80 V 5 V 500 mV 1.25 W + 150 C BD140 Tube
STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT NPN General Purpose
데이터시트
1,854재고 상태
4,000예상 2026-03-20
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 2 A 80 V 100 V 5 V 600 mV 25 W + 150 C BD237 Tube
STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Medium Power
데이터시트
3,911재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 4 A 45 V 45 V 5 V 200 mV 36 W 3 MHz + 150 C BD437 Tube
STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Medium Power
데이터시트
2,610재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 500 mA 300 V 300 V 3 V 500 mV 20.8 W + 150 C MJE340 Tube
STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT PNP Medium Power
데이터시트
2,332재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole SOT-32-3 PNP Single 500 mA 300 V 300 V 3 V 500 mV 20.8 W + 150 C MJE350 Tube
STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT High voltage Fast-switching NPN
데이터시트
829재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 400 V 9 V 1.5 V 40 W - 40 C + 150 C ST13003-K Bulk
STMicroelectronics 양극성 트랜지스터 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw
데이터시트
5,997재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT SOT-32-3 NPN Single 1.5 A 400 V 700 V 9 V 500 mV 40 W - 65 C + 150 C ST13003 Tube