STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터

결과: 91
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 트랜지스터 극성 기술 Id - 연속 드레인 전류 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Rds On - 드레인 소스 저항 작동 주파수 이득 출력 전력 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz 80재고 상태
최소: 1
배수: 1

N-Channel Si 40 A 130 V 175 MHz 15 dB 350 W + 200 C Screw Mount Tube


STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz 21재고 상태
50예상 2026-03-30
최소: 1
배수: 1

Si Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS 93재고 상태
최소: 1
배수: 1

N-Channel Si 40 A 200 V 100 MHz 24 dB 300 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M177MR-5 Tray
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 N-Ch 65 Volt 5 Amp 51재고 상태
최소: 1
배수: 1

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT M243 Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch 90재고 상태
최소: 1
배수: 1

N-Channel Si 40 A 130 V 250 MHz 21 dB 350 W - 65 C + 150 C SMD/SMT STAC244B Bulk
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER RF Transistor 323재고 상태
최소: 1
배수: 1

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube


STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz 36재고 상태
최소: 1
배수: 1

N-Channel Si 40 A 125 V 250 MHz 15 dB 300 W + 200 C Screw Mount Tube
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST 비재고 리드 타임 23 주
최소: 600
배수: 600
: 600

N-Channel Si 5 A 25 V 1 GHz 11.5 dB 8 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. 비재고 리드 타임 23 주
최소: 600
배수: 600
: 600

N-Channel Si 5 A 40 V 1 GHz 14 dB 15 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Power Trans N-Channel 비재고 리드 타임 23 주
최소: 600
배수: 600
: 600

N-Channel Si 7 A 12.5 V 500 MHz 14.5 dB 25 W + 165 C SMD/SMT PowerSO-10RF-2 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. 비재고 리드 타임 23 주
최소: 600
배수: 600
: 600

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. 비재고 리드 타임 23 주
최소: 600
배수: 600
: 600

N-Channel Si 2.5 A 65 V 760 mOhms 1 GHz 16.5 dB 18 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. 비재고 리드 타임 23 주
최소: 400
배수: 400

N-Channel Si 4 A 65 V 1 GHz 14 dB 30 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch 비재고 리드 타임 23 주
최소: 400
배수: 400

N-Channel Si 5 A 65 V 1 GHz 13 dB 45 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam 비재고 리드 타임 23 주
최소: 400
배수: 400

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam 비재고 리드 타임 23 주
최소: 600
배수: 600
: 600

N-Channel Si 7 A 65 V 1 GHz 14.3 dB 60 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Formed-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. N-Ch Trans 비재고 리드 타임 23 주
최소: 400
배수: 400

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Tube
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 POWER R.F. N-Ch Trans 비재고 리드 타임 23 주
최소: 600
배수: 600
: 600

N-Channel Si 8 A 40 V 1 GHz 14.9 dB 35 W - 65 C + 150 C SMD/SMT PowerSO-10RF-Straight-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor 재고 없음
최소: 100
배수: 100
: 100

Dual N-Channel Si 65 V 1 Ohms 860 MHz 17.5 dB 200 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor 재고 없음
최소: 120
배수: 120
: 120

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 1.47 GHz 17.5 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor 재고 없음
최소: 300
배수: 300
: 300

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 2.7 GHz 19 dB 15 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor 재고 없음
최소: 300
배수: 300
: 300

N-Channel Si 65 V 1 Ohms 2.7 GHz 18 dB 25 W + 200 C SMD/SMT E2-3 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor 재고 없음
최소: 160
배수: 160
: 160

N-Channel Si 60 V 1 Ohms 3.6 GHz 14 dB 40 W + 200 C SMD/SMT A2-3 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor 재고 없음
최소: 100
배수: 100
: 100

N-Channel Si 2.5 A 28 V 1 Ohms 945 MHz 16 dB 150 W + 200 C Through Hole LBB-4 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET 트랜지스터 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz 비재고 리드 타임 28 주
최소: 50
배수: 50

Si Bulk