MACOM RF 양극성 트랜지스터

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 트랜지스터 타입 기술 트랜지스터 극성 작동 주파수 DC 컬렉터/베이스 게인 hfe Min 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 이미터-베이스 전압 VEBO 연속 콜렉터 전류 최저 작동온도 최고 작동온도 구성 장착 스타일 패키지/케이스 포장
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,110W,2.7-2.9GHz,100us,10% 비재고 리드 타임 22 주
최소: 20
배수: 20

Bipolar Si NPN 2.7 GHz to 2.9 GHz 63 V 3 V 8 A + 200 C Single Screw Mount Ceramic-2
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,Bipolar,65W,36V,2.70-2.90GHz 비재고 리드 타임 28 주
최소: 20
배수: 20

Si
MACOM RF 양극성 트랜지스터 2-30MHz 60Watts 12.5Volt Gain 13dB 비재고 리드 타임 36 주

Bipolar Power Si NPN 30 MHz 10 18 V 4 V 15 A - 65 C + 150 C Single Screw Mount 211-07 Tray
MACOM MAPR-001011-850S00
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,850W,1025-1150MHz,50V,10us,1% 비재고 리드 타임 22 주
최소: 20
배수: 20

Si
MACOM MAPR-001090-350S00
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,350Wpk,1.09GHz 비재고 리드 타임 28 주
최소: 20
배수: 20

Si
MACOM MAPR-000912-500S00
MACOM RF 양극성 트랜지스터 960-1215MHz 500W Gain: 9.0dB min 비재고 리드 타임 22 주
최소: 20
배수: 20

Si Tray
MACOM MAPRST0912-350
MACOM RF 양극성 트랜지스터 960-1215MHz 350W Gain: 9.4dB min 비재고 리드 타임 28 주
최소: 20
배수: 20

Bipolar Power Si NPN 1.215 GHz 65 V 3 V 32.5 A + 200 C Single Ceramic Tray
MACOM MRF10005
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,960-1215Mhz,28V,5W 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1
배수: 1

Si
MACOM MRF1000MB
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,960-1215MHz,18V,0.7W 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1
배수: 1

Si
MACOM MRF10120
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,960-1215MHz,38V,120pk 비재고 리드 타임 26 주
최소: 20
배수: 20

Bipolar Power Si NPN 1.215 GHz 20 55 V 3.5 V 15 A - 65 C + 200 C Single 355C-2
MACOM MRF10150
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,1025-1050MHz,50V,150W 비재고 리드 타임 28 주
최소: 20
배수: 20

Si
MACOM MRF313
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,<400MHz,28V,1W 비재고 리드 타임 36 주
최소: 1
배수: 1

Si
MACOM MRF316
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,<200MHz,28V,80W 비재고 리드 타임 36 주
최소: 40
배수: 20

Si
MACOM MRF448A
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,<30MHz,50V,250W 비재고 리드 타임 36 주
최소: 1
배수: 1
Si
MACOM MRF455MP
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,<30MHz,12.5V,60W,Matched Pair 비재고 리드 타임 36 주
최소: 10
배수: 1
Si
MACOM MRF587
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,0.17W,500MHz,15V 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1
배수: 1

Si
MACOM PH1090-15L
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,15W,1.03-1.09GHz,45V 비재고 리드 타임 26 주
최소: 20
배수: 20

Si
MACOM PH1090-175L
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,Bipolar,Av,175W,1030-1090MHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 20
배수: 20

Bipolar Power Si
MACOM PH1090-350L
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,350W,1090MHz,250us,10% 비재고 리드 타임 28 주
최소: 20
배수: 20

Bipolar Power Si NPN 1.09 GHz 80 V 3 V 17 A - 65 C + 200 C Single Ceramic-2 Tray
MACOM PH1090-550S
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,Bipolar,Av,550W,1090MHz 비재고 리드 타임 28 주
최소: 20
배수: 20

Bipolar Power Si
MACOM PH1090-700B
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,Avionics,700W,IFF 비재고 리드 타임 26 주
최소: 20
배수: 20

Si
MACOM PH1090-75L
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,75W,1030-1090MHz,250us,10% 비재고 리드 타임 28 주
최소: 20
배수: 20

Bipolar Power Si
MACOM PH1214-110M
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,110W,1.20-1.40GHz,40V 비재고 리드 타임 26 주
최소: 20
배수: 20

Si
MACOM PH1214-220M
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,220W,1.2-1.4GHz,150us 비재고 리드 타임 28 주
최소: 20
배수: 20

Si
MACOM PH1214-25M
MACOM RF 양극성 트랜지스터 Transistor,Bipolar,25W,28V,1.20-1.40GHz 비재고 리드 타임 26 주
최소: 20
배수: 20

Bipolar Power Si