Infineon RF 양극성 트랜지스터

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 시리즈 트랜지스터 타입 기술 트랜지스터 극성 작동 주파수 DC 컬렉터/베이스 게인 hfe Min 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 이미터-베이스 전압 VEBO 연속 콜렉터 전류 최저 작동온도 최고 작동온도 구성 장착 스타일 패키지/케이스 자격 포장
Infineon Technologies RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR 비재고 리드 타임 15 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

BFP405 Si SOT-343-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies RF 양극성 트랜지스터 RF BIP TRANSISTOR 비재고 리드 타임 15 주
최소: 6,000
배수: 6,000
: 3,000

BFP520 Bipolar Si NPN 45 GHz 70 2.5 V 1 V 50 mA Single SMD/SMT SOT-343 AEC-Q100 Reel
Infineon Technologies RF 양극성 트랜지스터 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW 비재고 리드 타임 26 주
최소: 15,000
배수: 15,000
: 3,000

BFR193 Bipolar Si NPN 8 GHz 70 12 V 2 V 80 mA - 65 C + 150 C Single SMD/SMT SOT-23 AEC-Q100 Reel