Ampleon RF MOSFET 트랜지스터

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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 트랜지스터 극성
기술
Id - 연속 드레인 전류
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Rds On - 드레인 소스 저항
작동 주파수
이득
출력 전력
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
포장
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP
데이터시트
비재고 리드 타임 13 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.4 GHz 31.3 dB 10 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP
데이터시트
비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.4 GHz 31.3 dB 10 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10G2327N55D/PQFN/REELDP
데이터시트
비재고 리드 타임 13 주
최소: 500
배수: 500
릴: 500

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 31.2 dB 46.8 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10G2527N10DL/LGA-7x7/REELDP
데이터시트
비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

LDMOS 65 V 2.5 GHz to 2.7 GHz 30 dB 10 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10G3336N16DL/LGA/REEL
데이터시트
비재고 리드 타임 13 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.6 GHz 35 dB 16 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10G3336N16DL/LGA/REEL
데이터시트
비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.6 GHz 35 dB 16 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10G4750N12DL/LGA-7x7/REELDP
데이터시트
비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

LDMOS 65 V 4.7 GHz to 5 GHz 30 dB 12 W + 125 C SMD/SMT LGA-20 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
데이터시트
비재고 리드 타임 13 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

LDMOS 48 V 600 MHz to 800 MHz 34 dB 46.9 dBm - 40 C + 120 C SMD/SMT LGA-34 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL
데이터시트
비재고 리드 타임 13 주
최소: 500
배수: 500
릴: 500

LDMOS 48 V 600 MHz to 800 MHz 34 dB 46.9 dBm - 40 C + 120 C SMD/SMT LGA-34 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
데이터시트
비재고 리드 타임 13 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

LDMOS 52 V 700 MHz to 1 GHz 35 dB 47 dBm - 40 C + 120 C SMD/SMT LGA-34 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
데이터시트
비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 32 dB 48.5 dBm + 125 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
데이터시트
비재고 리드 타임 13 주
최소: 300
배수: 300
릴: 300

LDMOS 65 V 1.8 GHz to 2.2 GHz 32 dB 48.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
데이터시트
비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

LDMOS 65 V 2.3 GHz to 2.7 GHz 33.5 dB 49.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP
데이터시트
비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.8 GHz 38 dB 49 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP
데이터시트
비재고 리드 타임 13 주
최소: 300
배수: 300
릴: 300

LDMOS 65 V 3.3 GHz to 3.8 GHz 38 dB 49 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 B11G3742N81D/PQFN-12x7/REELDP
데이터시트
비재고 리드 타임 13 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

LDMOS 65 V 3.7 GHz to 4.2 GHz 36 dB 48.5 dBm + 200 C SMD/SMT QFN-36 Reel
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLA9G1011L-300G/SOT502/TRAY
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 60
배수: 60

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C Screw Mount SOT502F-3 Tray
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLA9G1011L-300/SOT502/TRAY
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 60
배수: 60

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLA9G1011LS-300G/SOT502/TRAY
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 60
배수: 60

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT502E-3 Tray
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLA9G1011LS-300/SOT502/TRAY
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 60
배수: 60

N-Channel LDMOS 65 V 43 mOhms 1.03 GHz to 1.09 GHz 19.5 dB 300 W + 225 C SMD/SMT SOT502B-3 Tray
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 60
배수: 60

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C Screw Mount SOT502F-3 Tray
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 60
배수: 60

N-Channel LDMOS 50 V 110 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 22 dB 250 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 60
배수: 60

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C Screw Mount SOT502F-3 Tray
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 60
배수: 60

N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 20 dB 700 W + 225 C Screw Mount SOT502A-3 Tray
Ampleon RF MOSFET 트랜지스터 BLA9H0912LS-1200PGJ/SOT539/TRAY
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 100
배수: 100
릴: 100

Dual N-Channel LDMOS 50 V 60 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 19 dB 1.2 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel