Fastron RF 인덕터

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Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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200 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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250 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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270 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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300 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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330 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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390 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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470 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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560 nH 10 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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680 nH 10 % 140 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 750nH; Tol: 5%
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비재고 리드 타임 10 주
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750 nH 5 % SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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750 nH 10 % 130 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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820 nH 10 % 120 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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910 nH 10 % 120 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Non-magnetic RF Chip Inductor
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10 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Non-magnetic RF Chip Inductor
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11 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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12 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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15 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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16 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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18 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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22 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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24 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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27 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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30 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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33 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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36 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200