Fastron RF 인덕터

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Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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1 uH 10 % 110 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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배수: 4,000
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1.2 uH 10 % 100 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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2 nH 10 % 170 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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2.2 nH 20 % 170 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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3.3 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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3.6 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Chip Inductor (Wire wound -open); 3.9nH; Tol: 5%
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비재고 리드 타임 8 주
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3.9 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 3.9nH 250 MHz 10% Tol.
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배수: 4,000
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3.9 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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4.3 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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4.7 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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5.1 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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5.6 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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6.2 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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6.8 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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7.5 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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7.6 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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8 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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8.7 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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8.9 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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9.5 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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110 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 120nH 150 MHz 5% Tol
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120 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

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130 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 150nH 100 MHz 5% TOL
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150 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 180nH 100 MHz 5% TOL
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180 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200