Fastron RF 인덕터

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자격
Fastron RF 인덕터 - SMD Wire-wound Ceramic Chip Inductor
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

270 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 140 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Wire-wound Ceramic Chip Inductor
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

300 nH 5 % 300 mA SMD/SMT + 140 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Wire-wound Ceramic Chip Inductor
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

330 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 140 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 10nH 250 MHz 5% Tol
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

10 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

11 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 12nH 250 MHz 5% Tol
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

12 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 15nH 250 MHz 5% Tol
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

15 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 15nH 250 MHz 5%
데이터시트
비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

15 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

16 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 22nH 250 MHz 5% Tol
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비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

22 nH 5 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

24 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 27nH 250 MHz 5% Tol
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

27 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

30 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

36 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

39 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

43 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

51 nH 5 % 600 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD 56nH200 MHz 5% Tol
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비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

56 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

72 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

90 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

1.2 nH 20 % 850 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
데이터시트
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최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

1.3 nH 20 % 850 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
데이터시트
비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

1.5 nH 10 % 850 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

1.6 nH 10 % 850 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
릴: 4,000

1.8 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200