Fastron RF 인덕터

RF 인덕터의 유형

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Fastron RF 인덕터 - 리드형 Phenolic Core Leaded Inductor - Fixed Choke Coil 비재고 리드 타임 10 주
최소: 3,500
배수: 3,500
: 3,500

820 nH 20 % 1.02 A Axial + 125 C
Fastron RF 인덕터 - 리드형 Ferrite Core Pluggable Inductor for High Currents 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Fastron RF 인덕터 - 리드형 Ferrite Core Pluggable Inductor for High Currents 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Fastron RF 인덕터 - 리드형 Ferrite Core Pluggable Inductor with Tube for High Currents 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Fastron RF 인덕터 - 리드형 Ferrite Core Pluggable Inductor with Tube for High Currents 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

10.4 nH 5 % 1.5 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

15 nH 5 % 1.4 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

22 nH 5 % 1.2 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

23 nH 5 % 1 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

29 nH 5 % 900 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

34 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

42 nH 5 % 680 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

47 nH 5 % 570 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

56 nH 5 % 440 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

1.15 nH 20 % 3.2 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

2.6 nH 20 % 2.3 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

4.5 nH 10 % 2 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

5 nH 10 % 1.4 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

6.8 nH 5 % 1.7 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

7.6 nH 5 % 1.43 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

100 nH 5 % 360 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

120 nH 5 % 250 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

150 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

180 nH 5 % 190 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 4,000
배수: 4,000
: 4,000

220 nH 10 % 190 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200