Fastron RF 인덕터

RF 인덕터의 유형

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Fastron RF 인덕터 - SMD AEC-Q200 Qualified 비재고 리드 타임 10 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

7.5 nH 5 % 1.7 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD AEC-Q200 Qualified 비재고 리드 타임 10 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

8.2 nH 5 % 1.65 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD AEC-Q200 Qualified 비재고 리드 타임 10 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

8.7 nH 5 % 1.5 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD AEC-Q200 Qualified 비재고 리드 타임 10 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

9 nH 5 % 1.5 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD AEC-Q200 Qualified 비재고 리드 타임 10 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

9.1 nH 5 % 1.5 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD AEC-Q200 Qualified 비재고 리드 타임 10 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

9.2 nH 5 % 1.5 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD AEC-Q200 Qualified 비재고 리드 타임 10 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

9.5 nH 5 % 1.5 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

11 nH 5 % 640 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

12 nH 5 % 640 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

13 nH 5 % 640 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

15 nH 5 % 560 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

16 nH 5 % 560 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

18 nH 5 % 420 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

19 nH 5 % 480 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

20 nH 5 % 420 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

23 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

24 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

27 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

30 nH 5 % 400 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

33 nH 5 % 320 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

36 nH 5 % 320 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

39 nH 5 % 200 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

40 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

43 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RF 인덕터 - SMD Ceramic Core Chip Inductor 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

47 nH 5 % 150 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200